王英民
- 作品数：13 被引量：42H指数：4
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶
- 2007年
- 本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。
- 姜守振李娟陈秀芳王英民宁丽娜胡小波徐现刚王继杨蒋民华
- 关键词：SIC微管
- 用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
- 本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中，将坩埚置于中频感应加热炉中，对生长室抽真空，将温度升高...
- 胡小波宁丽娜李娟王英民徐现刚
- 文献传递
- 半绝缘6H-SiC单晶的生长研究
- 本文用升华法生长出了电阻率高达1.8×1010 Ωcm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry-SIMS)、辉光放电质谱(Glow Discharge ...
- 宁丽娜胡小波陈秀芳李娟王英民姜守振徐现刚
- 关键词：半绝缘碳化硅二次离子质谱
- 文献传递
- 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响被引量：4
- 2008年
- 合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料。实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响。合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定。结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高。合成温度和时间则决定了合成产物中-αSiC和-βSiC的比例。辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求。
- 宁丽娜胡小波王英民王翎李娟彭燕高玉强徐现刚
- 关键词：高纯碳化硅粉
- 6H-SiC晶片的退火处理被引量：2
- 2006年
- 本文在背景Ar气压力为8×10^4Pa、温度为1800～2000℃的条件下，对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理，利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H—SiC晶片表面进行了观察，研究了退火温度和时间对晶片表面的影响。发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶，有助于侧面生长模式的发展，进一步有助于台阶流生长模式的发展。通过对籽晶的退火处理，降低了螺旋生长中心的密度，从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现，提高了晶体质量。
- 姜守振李娟陈秀芳王英民宁丽娜于光伟胡小波徐现刚王继杨蒋民华
- 关键词：SIC退火
- 6H-SiC衬底片的表面处理(英文)被引量：5
- 2007年
- 相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。
- 陈秀芳徐现刚胡小波杨光宁丽娜王英民李娟姜守振蒋民华
- 关键词：6H-SIC衬底表面处理研磨化学机械抛光
- 用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
- 本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中，将坩埚置于中频感应加热炉中，对生长室抽真空，将温度升高...
- 胡小波宁丽娜李娟王英民徐现刚
- 文献传递
- 3英寸6H-SiC单晶的生长被引量：1
- 2007年
- 王英民宁丽娜陈秀芳彭燕高玉强胡小波徐现刚蒋民华
- 关键词：单晶生长宽带隙半导体材料蓝色发光二极管电学性质衬底材料
- 同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管
- 2006年
- 利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。
- 姜守振黄先荣胡小波李娟陈秀芳王英民宁丽娜徐现刚蒋民华
- 关键词：小角度晶界微管SIC
- BN坩埚中的AlN单晶生长被引量：5
- 2006年
- 李娟胡小波姜守振王英民宁丽娜陈秀芳徐现刚王继扬蒋民华
- 关键词：单晶生长宽带隙半导体材料GAN材料坩埚BN光电子领域
