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王萍

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇阴极
  • 3篇钨阴极
  • 3篇钪
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇钨粉
  • 2篇铝化合物
  • 2篇化合物
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电子器件
  • 1篇屏蔽筒
  • 1篇微波真空
  • 1篇覆膜

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇李季
  • 3篇王萍
  • 2篇王辉
  • 1篇王舒墨

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法
本发明公开了一种亚微米薄膜钪钨阴极的制备方法，包括将钨粉压制、烧结，得到阴极基体；将阴极基体浸渍活性物质钡钙铝化合物；将浸渍了活性物质的阴极基体装配到含热子的阴极支持筒中；用直流磁控溅射在阴极基体表面沉积亚微米钪钨薄膜，...
王萍李季王辉
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一种薄膜钪钨阴极及其制备方法
一种薄膜钪钨阴极及其制备方法，属于微波真空电子器件领域，该薄膜钪钨阴极包含阴极基体，基体下部是钼屏蔽筒，屏蔽筒内部为热子组件，阴极基体顶部表面为合成钪钨覆膜。所述薄膜钪钨阴极的制备方法，其操作步骤为阴极基体制备，阴极基体...
王萍王舒墨李季
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一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法
本发明公开了一种亚微米薄膜钪钨阴极的制备方法，包括将钨粉压制、烧结，得到阴极基体；将阴极基体浸渍活性物质钡钙铝化合物；将浸渍了活性物质的阴极基体装配到含热子的阴极支持筒中；用直流磁控溅射在阴极基体表面沉积亚微米钪钨薄膜，...
王萍李季王辉
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