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穆武第

作品数:12 被引量:64H指数:5
供职机构:国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国家重点实验室更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇热电薄膜
  • 4篇溅射制备
  • 4篇PBTE
  • 4篇BI2TE3
  • 3篇电学
  • 2篇电导
  • 2篇电导率
  • 2篇电阻率
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇射频磁控溅射...
  • 2篇热电材料
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇晶格

机构

  • 12篇国防科学技术...

作者

  • 12篇穆武第
  • 11篇唐耿平
  • 11篇程海峰
  • 4篇陈朝辉
  • 1篇吴志桥
  • 1篇周永江
  • 1篇曹义
  • 1篇楚增勇
  • 1篇陈朝晖

传媒

  • 3篇材料导报
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 6篇2009
  • 5篇2007
  • 1篇2005
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
直流磁控溅射制备PbTe薄膜
2007年
采用直流磁控溅射的方式,用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜,薄膜生长速率约为100nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜,溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响,溅射时间越长薄膜的晶粒越大,薄膜结构越致密,具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的P型半导体薄膜,其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。
穆武第程海峰唐耿平陈朝辉
关键词:直流磁控溅射P型半导体电阻率
直流磁控溅射制备PbTe薄膜
采用直流磁控溅射的方式,用 PbTe 靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了 PbTe 薄膜,薄膜生长速率约为100nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe 薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄...
穆武第程海峰唐耿平陈朝辉
关键词:直流磁控溅射P型半导体电阻率
文献传递
添加导电纤维对羰基铁粉吸波性能的影响被引量:17
2005年
本文研究了在羰基铁粉(CIP)吸波涂层中添加导电纤维对涂层的电磁参数和反射率的影响规律。发现导电纤维的添加使磁性金属微粉CIP吸波涂层的介电常数增大,使得吸波涂层的吸收峰向低频移动,有利于改善低频段的吸收效果;利用分块设计的方法可以拓宽吸波材料在全波段(2~18GHz)范围内的吸收频带;同时导电纤维的加入还降低了吸波涂层的面密度。
穆武第程海峰唐耿平楚增勇周永江曹义
关键词:导电纤维电磁参数吸波性能
PbTe量子点对Bi2Te3热电薄膜电学性能的影响研究(英文)
采用磁控溅射的方法制备了BiTe-PbTe纳米复合薄膜。研究发现,当PbTe的溅射时间为1秒时,PbTe不能形成连续膜,以约2~5nm大小的纳米颗粒弥散分布在BiTe薄膜中。溅射沉积得到的BiTe是非晶态薄膜,经过300...
穆武第程海峰唐耿平
关键词:BI2TE3PBTE量子点
文献传递
碲化铋基热电薄膜制备及其热电性能研究
热电材料是实现热能和电能直接转换的材料,可用于温差发电和通电制冷。BiTe基化合物是室温性能最好的热电材料,PbTe基化合物是中温(30000K)性能较好的热电材料。经过几十年的研究,块体BiTe基和PbTe基材料的热电...
穆武第
关键词:热电薄膜BI2TE3PBTE磁控溅射
文献传递
热红外隐身伪装技术和材料的现状与发展被引量:23
2007年
从影响目标热红外辐射度的因素出发,综述了调节目标发射率的方式和常用的材料及其特性;在控制目标表面温度方面,在综述国内外的隐身伪装方法和器材的基础上,首次提出了利用热电材料来进行热红外隐身伪装。最后描述了今后热红外隐身的发展方向。
穆武第程海峰唐耿平陈朝辉
关键词:热红外伪装隐身热电材料
PbTe量子点对Bi2Te3热电薄膜电学性能的影响研究
采用磁控溅射的方法制备了BiTe-PbTe纳米复合薄膜。研究发现,当PbTe的溅射时间为1秒时,PbTe不能形成连续膜,以约2~5nm大小的纳米颗粒弥散分布在BiTe薄膜中。溅射沉积得到的BiTe是非晶态薄膜,经过300...
穆武第程海峰唐耿平
关键词:BI2TE3PBTE量子点
文献传递
粗糙界面对Bi_2Te_3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析被引量:8
2009年
以Bi2Te3/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi2Te3量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0.3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近.
穆武第程海峰陈朝辉唐耿平吴志桥
关键词:超晶格
射频磁控溅射制备Bi_2Te_3热电薄膜被引量:3
2007年
通过射频磁控溅射,在溅射气体为Ar,气压为1Pa,溅射功率为120W时分别在聚氨酯和玻璃基底上沉积了不同厚度的Bi_2Te_3薄膜。Bi_2Te_3薄膜主要是以(221)晶面平行于基底进行外延生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构。在此条件下薄膜生长速率为26nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳来到几微米不同厚度的薄膜。得到的p-型半导体Bi_2Te_3薄膜,其电阻率随薄膜厚度的增大而减小。
穆武第程海峰唐耿平
关键词:射频磁控溅射
超晶格热电薄膜的研究现状与发展被引量:8
2007年
随着热电材料与薄膜制备技术和性能研究手段的发展,具有高热电性能的纳米超晶格热电薄膜已受到人们的关注。简要介绍了超晶格热电薄膜的理论研究、制备和分析测试技术,指出了超晶格热电薄膜主要应用环境和存在的问题以及可能的发展方向。
穆武第程海峰唐耿平
关键词:超晶格热电材料
共2页<12>
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