罗锡明
- 作品数：36 被引量：94H指数：5
- 供职机构：昆明贵金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金云南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>
- 钴对Ag-Cu-Pd合金钎料性能的影响被引量：3
- 1999年
- 研究结果表明， 在Ａｇ － Ｃｕ － Ｐｄ 合金钎料（ＢＡｇ６５ＣｕＰｄ） 中添加０．２ ～１．０ｗｔ％ Ｃｏ 后，对钎料的物理性能、电学性能以及力学性能无明显影响， 但对ＢＡｇ６５ＣｕＰｄ 钎料在某些母材上过度的铺展性确有显著地抑制作用， Ａｇ６５Ｃｕ２０Ｐｄ１５ － ｘＣｏｘ （０．２ ≤ｘ ≤１．０） 钎料可以部分地取代电子器件中的金基纤料。
- 刘泽光罗锡明郭根生方卫许芳胡旭华仓公明
- 关键词：银基合金钯合金钎料钴
- 铂基微电子浆料及专用材料高技术产业化示范工程
- 朱绍武陈家林谢明庄滇湘陈登权熊庆丰杨国祥王健李靖华罗锡明蒋传贵赵玲方卫程勇胥翠芬邱红莲
- 铂基系列电子信息材料是电子、电工产业及国防军事工业的关键基础材料，存在产业水平低，产业质量不稳定等问题，较大比例的产品还依赖进口，这对维护国家安全、增强综合竞争实力，以及促进高技术产业的发展均产生较大影响，急需利用自主开...
- 关键词：
- 关键词：生产工艺电子信息材料
- 铱微柱的应变突变和应变速率敏感性被引量：2
- 2020年
- 以聚焦离子束(FIB)制备了直径在1000 nm至7400 nm范围内的<110>取向铱单晶柱,并在纳米机械仪器Sementort中进行了单轴压缩试验。结果表明,单晶柱的屈服强度与直径有显著关系,而与FIB制备无关。单晶柱的微压缩实验与整体铱在单轴压缩试验中的力学行为不同,微纳米尺度的流动应力随着柱直径的减小而增加,即尺寸效应。此外,塑性变形过程有明显的突变和大应变,重点研究了单轴压缩下铱单晶柱的应变突变速度和应变敏感性问题。结果表明,压缩位移量随着持续时间和立柱直径的增加而增加,同时指出了应变敏感性(SRS)指数m随着柱直径的减小而增加。
- 刘毅李扬罗锡明张健康许昆李伟
- 关键词：FIBSRS
- 微电子工业用贵金属封装系列材料关键技术开发及产业化
- 朱绍武陈家林陈登权许昆谢宏潮杨国祥熊庆丰刘继松罗锡明孔建稳张军
- 该项目围绕微电子制造业、国防军事工业中大规模集成电路和高可靠电子元器件对贵金属关键基础材料及封装配套材料需求，进行产业化关键技术研发：（1）采用保护气氛连铸法和水基润滑等技术，生产的Ag基电真空钎料的清洁性和溅散性达到I...
- 关键词：
- 关键词：电子元器件微电子材料
- 一种高密度铱铸锭的制备方法
- 本发明涉及铱铸锭的制备方法，针对铱密度大，熔区控制难的问题，利用电弧熔炼技术，采用下拉式制备高密度铱铸锭。制备过程中通过控制熔炼电流，加料速度、旋转速度以及下拉速度等工艺参数实现了铱铸锭的连续制备。本发明采用下拉结晶的方...
- 李强刘毅安盈志罗锡明武海军张国全陈家林罗雁波
- 文献传递
- 晶体生长角和凝固速率对贵金属电子束区域熔炼晶体生长的作用被引量：1
- 2015年
- 基于电子束区域熔炼中熔区上力的平衡关系式,计算获得了基座法、等径区熔法两种工艺下稳定成形熔区高度的表达式,探讨了试样尺寸、晶体生长角和凝固速率等参数对六种贵金属稳定成形熔区高度的影响.结果发现,区熔相同尺寸试样时,六种贵金属能够稳定成形熔区高度大小依次排序为Ru>Pd>Ir>Pt>Ag>Au.同时获得了这六种贵金属的晶体生长角在8.4°—10.7°之间,而实际的晶体生长角与界面生长机制有关.在基座法中,连续生长机制所能支撑的熔区高度最小,而等径区熔法中连续生长机制支撑的熔区高度大于位错生长机制和小面生长机制.这三种晶体界面生长机制中连续生长方式对晶体生长角和区熔熔区高度影响较小,有利于贵金属区熔单晶制备.另外当凝固速率达到2.4 mm·min 1,位错和小面生长机制对区熔熔区高度的影响也变得很小,预测的工艺参数与Ir和Ru单晶区熔实验报道结果基本符合.
- 李双明耿振博胡锐刘毅罗锡明
- 关键词：贵金属
- 高熔点金属Ir和Mo电子束区熔中不同取向晶体的竞争生长
- 2018年
- 通过分析bcc结构金属Mo和fcc结构金属Ir电子束区熔中3种不同取向[100]、[110]和[111]晶体生长,发现金属Mo在平界面凝固下会以[110]取向择优生长,而在凸界面下可能存在[100]和[110] 2种择优生长方向,取决于界面能各向异性参数a1和a2的相对大小,说明电子束区熔中金属Mo单晶通常呈现[110]择优取向,而不是通常认为的[100]择优取向。无论是在平界面还是凸界面下,fcc结构高熔点金属Ir始终以[100]择优取向生长,并通过Ir单晶生长实验得到验证。电子束区熔下需综合考虑晶体生长曲率过冷度和动力学过冷度的影响,小尺寸试样(晶粒尺寸在毫米量级及以下)中晶向选择和淘汰取决于曲率过冷度;大尺寸试样(晶粒尺寸在厘米量级及以上)的晶向选择和淘汰主要依靠动力学过冷度。
- 李双明王斌强刘振鹏钟宏胡锐刘毅罗锡明
- 高熔点金属区域熔炼中晶体生长角和凝固速率对熔区稳定性的影响被引量：2
- 2015年
- 对高熔点金属Nb,W,Ta,Mo及Ir电子束区熔熔区高度进行了稳定性分析,发现在区熔相同尺寸试样时,能够稳定熔区高度大小排序依次为Nb〉Mo〉W〉Ta〉Ir.计算获得了这5种金属的晶体生长角在8°~13°之间,发现生长角不为零对大尺寸试样熔区高度起主导作用,同时金属的实际晶体生长角与界面生长机制有关.当为粗糙界面生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加变化不大;而为位错生长机制时,生长角随区熔凝固速率增加而减少;如为小面生长机制时,生长角在低速下会大幅度减小,并随凝固速率增加而增大.采用较大的凝固速率（约1 mm/min）有利于控制Ir和Mo晶体生长角变化和熔区高度,这一点与Mo区熔单晶生长实验结果基本吻合.
- 李双明耿振博胡锐刘毅罗锡明
- 关键词：高熔点金属
- Cu-Si二元系中k相和η相的晶体结构分析被引量：2
- 2000年
- 对Cu Si二元系中的k相和 η相进行了X射线衍射分析。k相属于镁型六方晶系 ,晶格点阵参数为a =b=0 .2 5 6 1nm、c =0 .4184nm、α =β =90°、γ =12 0° ,k相不稳定 ,在室温下长期放置会部分地转变成γ Cu5Si;η相属于正交晶系 ,晶格点阵参数为a =0 .6 0 41nm、b=0 .6 35 6nm、c=0 .42 88nm ,Cu3Si合金分别在 46 7、5 5 8、5 70和 6 2 0℃时发生相变。
- 陈亮维刘泽光何纯孝罗锡明赵万春
- 关键词：晶体结构Η相
- PtIr10网及其钎料实用化、系列化研究
- 罗锡明刘泽光蔡云卓陈登权许昆等
- 通过该项目的研究，制备系列PtIr10平纹网以及适用于不同钎焊温度的钎料。该项目的技术关键在于钎焊材料组成要与无水肼及N<,2>、H<,2>、HN<,3>达到一级相容，且使钎料与母材形成的接头在无水肼及N<,2>、H<,...
- 关键词：
- 关键词：钎料钎焊材料合金工艺
