肖超
- 作品数：14 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究被引量：6
- 2012年
- 热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。
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- 关键词：功率MOSFET器件热阻结构函数
- 测量封装功率器件芯片面积的方法
- 本发明提供了一种测量封装功率器件芯片面积的方法，包括：测量封装功率器件的加热响应数据；将加热响应数据转换为温度对开平方根时间的数据，并拟合温度对开平方根时间的数据；根据拟合结果确定芯片面积。本发明通过测量加热响应数据，将...
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- 文献传递
- 一种超结MOS晶体管
- 本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
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- 环氧树脂中3D氮化硼复合导热网络的构筑及性能被引量：12
- 2019年
- 采用聚苯乙烯(PS)微球为模板,与不同尺寸六方氮化硼(h-BN)混合,经过热压成型、烧蚀致孔和浸润环氧等步骤制备了具有3D氮化硼导热网络结构的氮化硼/环氧树脂复合材料。扫描电镜观察表明,氮化硼在环氧树脂中形成了连续的导热网络,且不同尺寸氮化硼之间的复配显著增加了导热网络的完善程度,复合材料的导热系数大幅提高,当h-BN(15μm)∶h-BN(1μm)=9∶1(体积比,下同),有效导热系数达到1.98 W/(m·K),热膨胀系数降低到43.27μm/(m·℃)。同时,复合材料的热稳定性、介电性能、动态力学性能等都有所提升。
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- 关键词：氮化硼环氧树脂
- 一种超结MOS晶体管
- 本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
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- 文献传递
- 一种超结器件
- 本发明公开了一种超结器件，包括：外延层，外延层中有超结结构，超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，第一掺杂立柱与第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，包括：第一掺杂阱区和设置在第一掺杂阱区内...
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- 文献传递
- 一种高压超结VDMOS
- 本发明公开了一种高压超结VDMOS，包括：N+衬底；第一超结，位于N+衬底上面；第二超结，位于第一超结上面。本发明在现有技术中的半超结VDMOS的第一外延区内形成了第一超结，以便实现横向电场调控，大幅度增加第一外延区的参...
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- 文献传递
- 测量待测器件的热阻的方法
- 本发明提供了一种测量待测器件的热阻的方法，该方法包括以下步骤：a)获得待测器件在阶跃功率脉冲作用下有源区的瞬态温度响应；b)运用快速傅里叶变换获得该瞬态温度响应的频谱；c)确定用于对所述瞬态温度响应进行反卷积运算的维纳逆...
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- 纳米粒子在PC/SEBS-g-MA复合材料中的选择性分布及对热性能的影响被引量：1
- 2017年
- 通过熔融混合实现多壁碳纳米管(MWCNT)和纳米氮化铝(Al N)分别在聚碳酸酯(PC)和SEBS-g-MA两相中的选择性分布,构建了新型四元网络结构。扫描电镜和透射电镜测试证实2种填料没有互相迁移;热分析表明MWCNT和Al N的协同作用使得复合材料热稳定性得到大幅提高,导热网络更加完善,复合材料的导热系数较纯的PC/SEBS-g-MA复合材料大幅提高,达到纯PC/SEBS-g-MA复合材料的2.6倍。
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- 关键词：复合填料复合材料导热性
- 一种超结器件耐压层的制备方法
- 本发明公开了一种超结器件耐压层的制备方法，包括：在衬底材料上生长并刻蚀第一外延材料，以在第一外延材料上形成相互间隔的N个第一沟槽；用第二外延材料填充N个第一沟槽，第二外延材料的掺杂类型与第一外延材料的掺杂类型不相同；抛光...
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- 文献传递
