苏海桥
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：电子科技大学物理电子学院应用物理系更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响被引量：3
- 2009年
- 利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80keV,剂量1×1017cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500—700℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500℃退火1h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄膜发光强度随退火温度的上升而增强.
- 苏海桥薛书文陈猛李志杰袁兆林付玉军祖小涛
- 关键词：ZNS薄膜离子注入X射线衍射光致发光
- ZnS荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响
- 硫化锌(ZnS)是一种重要的宽禁带(室温下Eg约为3.7eV)直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得ZnS薄膜能广泛应用于各类光电器件，有必要改善...
- 苏海桥
- 关键词：硫化锌薄膜离子注入光学性能
- 文献传递
- 退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响被引量：2
- 2010年
- 采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.
- 张天红薛书文苏海桥袁兆林陈猛祖小涛
- 关键词：ZNS薄膜SEM光致发光退火
