苏深伟
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学电子信息工程学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：航天科技创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SmTbFeCo/Cr/TbFeCo垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究被引量：1
- 2006年
- 采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-Mr/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16,耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmT-bFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题.
- 王翔苏深伟
- SmTbFeCo/Cr/TbFeCo垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究
- 本文采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化...
- 王翔苏深伟
- 关键词：交换耦合磁控溅射
- 文献传递
