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薛唯

作品数:89 被引量:147H指数:6
供职机构:北京理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金国家部委预研基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 47篇期刊文章
  • 24篇专利
  • 18篇会议论文

领域

  • 40篇电子电信
  • 13篇理学
  • 5篇机械工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 17篇发光
  • 14篇电致发光
  • 12篇红外
  • 9篇光学
  • 8篇探测器
  • 7篇退火
  • 7篇显示器
  • 7篇晶体
  • 7篇厚膜
  • 7篇发光器件
  • 6篇光子
  • 6篇光子晶体
  • 6篇红外成像
  • 5篇电致发光器件
  • 5篇绝缘
  • 5篇绝缘层
  • 5篇溅射
  • 5篇焦平面
  • 5篇焦平面探测器
  • 5篇红外焦平面

机构

  • 89篇北京理工大学
  • 4篇中国兵器科学...
  • 2篇北京交通大学
  • 2篇中国空间技术...
  • 2篇河南汉威电子...
  • 2篇云南北方驰宏...
  • 1篇河南大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇京东方科技集...
  • 1篇中国联通有限...
  • 1篇北京京东方光...
  • 1篇北方夜视科技...

作者

  • 89篇薛唯
  • 46篇喻志农
  • 31篇蒋玉蓉
  • 18篇卢维强
  • 16篇王岭雪
  • 14篇蔡毅
  • 11篇王华清
  • 10篇罗秀丽
  • 9篇郭建
  • 8篇高岳
  • 6篇贺宇
  • 6篇张世玉
  • 5篇章婷
  • 4篇张东璞
  • 4篇唐璟
  • 4篇李畅
  • 4篇冷健
  • 4篇杨盛谊
  • 4篇李玉琼
  • 3篇孔祥君

传媒

  • 10篇北京理工大学...
  • 8篇光学技术
  • 4篇光学学报
  • 4篇现代显示
  • 3篇红外与激光工...
  • 3篇中国光学学会...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇物理学报
  • 2篇发光学报
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇2004中国...
  • 2篇2006年国...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 10篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
  • 4篇2002
89 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究被引量:3
2014年
利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜,通过SEM(扫描电子显微镜)、XRD(X射线衍射仪)、四探针测试仪、分光光度计,分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示:在纯氩气环境下,溅射功率为200W,工作气压为1.5Pa,在衬底温度为185℃~225℃时,薄膜的光电特性最好,ITO薄膜的电阻率为3.64×10^-4Ω·cm,透过率为97%。
扈静喻志农张世玉薛建设惠官宝薛唯
关键词:射频磁控溅射氧化铟锡电阻率透过率
准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法
本发明主要属于半导体基板加工工艺领域,具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构,利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层,可...
喻志农闫伟郭建蒋玉蓉薛唯
文献传递
SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响被引量:7
2009年
利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。
喻志农相龙锋李玉琼薛唯
关键词:ITO薄膜
一种避免像素电极open的结构设计及其制备工艺
本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计,所述结构设计中采用特殊LS遮光层,在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔,形成漏极处凸起结构,在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔...
喻志农闫伟郭建蒋玉蓉薛唯
文献传递
退火气压对于P3HT∶PCBM微观形貌及光伏性能的影响
2015年
通过精确设定不同的退火环境气压,实现对P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)与PCBM([6,6]-Phenyl C61butyric acid methyl ester)体系中聚噻吩结晶度以及共混相分离程度的控制,并在此基础上制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al的正型光伏器件。在允许的压强设定范围内,器件各项性能参数均随退火环境压强的增大表现出先升高后下降的变化规律,并统一于气压设定为1 500mTorr时获得最大值。从活性层的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱中发现P3HT在510nm吸收峰以及550和600nm肩峰附近的吸收强度随退火气压升高而增大,在气压为1 500mTorr时达到最高,吸收强度的提升源于聚合物分子π—π堆叠的增加。原子力显微镜(AFM)进一步分析结果表明,高气压环境(>1 000mTorr)能够促进P3HT∶PCBM共混组分在退火过程中形成较大程度的相分离,而当环境压强合适时(1 500mTorr)适度的相分离利于聚合物形成良好有序结晶,从而能够提升活性层内部载流子传输能力,保证较高的短路电流与填充因子,制备的器件也因此表现出良好的光伏性能,光电转化效率达到3.56%。
李畅薛唯章婷赵谡玲
关键词:聚合物太阳能电池
陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备
2007年
为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn+的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性.
喻志农薛唯蒋玉蓉卢维强
关键词:陶瓷厚膜
薄膜电致发光及其发展状况被引量:5
2001年
阐述电致发光的机理、几种典型电致发光器件的结构及目前所用发光材料的特性,并介绍彩色 TFEL显示器件的最新进展及应用情况。
林涛郑智伟薛唯
关键词:电致发光器件
电子墨水的前景被引量:6
2002年
微封装电泳显示器表现出像纸一样的易读性、超低功耗、柔顺性、彩色显示等优点,并且现在已有了有源矩阵底板。
John Ritter薛唯
关键词:微封装电泳显示器电子墨水电子纸张
α-IGZO薄膜场效应晶体管的光敏特性被引量:1
2013年
通过掩膜板制备源漏电极的方法,以非晶铟-镓-锌氧化物(α-IGZO)为有源层,制备了结构为ITO/SiO2(400nm)/α-IGZO(50nm)/Al的底栅顶接触型(BGTC)光敏薄膜场效应晶体管(TFT)并研究了其光敏特性。实验发现,在蒸镀Al电极作为源极和漏极,再在空气中及350℃的温度下退火1h后,器件的阈值电压Vth为15.0V,在栅源偏压VGS=30V时其有效场效应迁移率为0.57cm2/Vs,表现出良好的晶体管特性。当用强度为8.1mW/cm2的白光照射时,器件表现出明显的光敏特性,其Vth下降为-15.0V,在源漏电压VDS=20V且VGS=30V时其有效场效应迁移率上升为1.34cm2/Vs,在VGS=2.5V时其'明/暗'电流比达到一极大值,响应率达到1.11A/W,并具有良好的时间响应特性。
陈立强杨盛谊喻志农薛唯邹炳锁
液晶显示器光学纯位相调制的研究
随着数字图像技术的发展和广泛应用,对便携式显示器的需求日益增加。液晶显示器(LCD)是目前应用最多的平板显示器。目前人们主要是利用LCD的光强调制特性,而它的位相调制特性尚未得到很好的研究和应用。本文对商品化的LCD中产...
薛唯胡晓改
文献传递
共9页<123456789>
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