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邓海

作品数:6 被引量:48H指数:3
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家科技攻关计划国家留学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇少子寿命
  • 2篇电池
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇电池材料
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅材料
  • 1篇杂质对
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇溶剂热法
  • 1篇溶剂热法制备
  • 1篇寿命研究
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇太阳能电池材...
  • 1篇热法
  • 1篇位错
  • 1篇纳米

机构

  • 6篇浙江大学
  • 1篇浙江理工大学

作者

  • 6篇邓海
  • 4篇杨德仁
  • 4篇席珍强
  • 1篇韩高荣
  • 1篇赵高凌
  • 1篇臧金鑫
  • 1篇朱鑫
  • 1篇阙端麟

传媒

  • 2篇太阳能学报
  • 2篇第九届中国太...
  • 1篇中国建设动态...

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
铸造多晶硅中的原生杂质被引量:3
2007年
本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅中的原生杂质的性质及分布规律。研究发现,铸造多晶硅中氧的浓度从底部到顶部逐渐降低。铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部逐渐升高。而铸造多晶硅中铁的浓度分布则是底部和顶部浓度高,中间很低,这表明晶体底部高浓度的铁主要是由于铁的分凝所致,而这些铁主要来自于晶体凝固过程中坩埚的沾污。
唐骏席珍强邓海杨德仁
关键词:
铸造多晶硅材料的少子寿命研究
铸造多晶硅材料原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内杂质和缺陷的分布规律.硅锭底部的高浓度氧、Fe杂质及其相关的高密度微缺陷导致该区域少子寿命偏低;而顶部高浓度的碳、Fe及其相关的高密度微缺陷,尤其是高...
朱鑫杨德仁邓海席珍强
关键词:多晶硅太阳电池少子寿命
文献传递
铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响被引量:31
2007年
应用微波光电导衰减仪(μ-PCD)测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示:距离硅锭底部4~5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域,而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在200℃下热处理10min,根据处理前后少子寿命值的变化,获得了间隙铁浓度沿硅锭方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高,这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)测试发现间隙氧浓度在硅锭底部较高,呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少子寿命值的关键因素。
邓海杨德仁唐骏席珍强阙端麟
关键词:少子寿命
溶剂热法制备SPAn包裹CdS纳米粒子及其性能被引量:2
2006年
采用溶剂热法,成功的制备了磺化聚苯胺(SPAn)包裹CdS纳米复合粒子。用TEM、XRD等手段对产物结构进行了表征,同时进行了UV-VIS以及电阻率的测试,研究其光学电学性能,并探讨了SPAn的浓度对产物的结构及光学、电学性能的影响。结果表明,SPAn/CdS纳米复合粒子具有优良的光学、电学性能。产物粒径分布均匀,随着SPAn用量的增加,复合粒子的粒径有减小的趋势,最小可达10nm左右;电导率则随着SPAn用量的增大而降低。
臧金鑫赵高凌邓海韩高荣
铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究
铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界,位错,微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重要因素。深入地研究材料中缺陷和杂质以及它们对于材料电学性能...
邓海
关键词:位错少子寿命太阳能电池材料
文献传递
铸造多晶硅中的原生杂质
本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅中的原生杂质的性质和其及分布规律.研究发现,铸造多晶硅中氧的浓度从底部到顶部逐渐降低.铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部会逐渐升高.而铸造多...
唐骏席珍强邓海杨德仁
文献传递
共1页<1>
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