邹旭明
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院人工微结构教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 通过调控介质材料与硫化钼界面获得高性能硫化钼顶栅晶体管
- 二维材料因其在电学、光学、机械性能以及尺寸方面的独特优势正日益受到关注.石墨烯一度被认为是最有希望的替代者,但是零禁带宽度的特点使石墨烯场效应晶体管的开关比难以超过10.新型二维材料,硫化钼的出现弥补了这一缺陷.硫化钼具...
- 廖蕾邹旭明
- 关键词：二硫化钼原子层沉积
- 基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究
- 2014年
- 利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性。对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论。结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017cm-3。
- 郑定山邹旭明蒋涛
- 关键词：场效应晶体管阈值电压迁移率
- 二维过渡金属硫化物在电学应用中的研究进展
- 2016年
- 近些年来,石墨烯由于其独特的层状结构和电学特性已经成为国内外关注的焦点.随着石墨烯研究的快速发展及材料制备技术的不断革新,其他具有二维层状结构特征的材料,如过渡金属硫化物(Transition-Metal Sulfides,TMSs),也被逐渐研究并应用.与石墨烯类似,TMSs拥有诸多优良的特性,例如良好的机械柔韧性和热稳定性、表面无悬挂键以及与硅CMOS工艺相兼容等.更为重要的是,零带隙的特点使石墨烯场效应晶体管的开关比很低,相比起来,部分TMSs材料具有令人满意的带隙,因而在半导体器件领域中具有巨大的应用潜力.本文简要介绍了TMSs的基本结构特点、能带特征及电学性质,其中重点以硫化钼为例,评述了其在场效应晶体管、逻辑电路及传感器等方面的具体应用,最后展望了TMSs未来的发展方向.
- 邹旭明廖蕾
- 关键词：硫化钼电学性质场效应晶体管
- 基于增强型氧化铟纳米线场效应管“锁钥”式化学传感器的研制
- 化学传感器可将待测物化学组分及其含量直接转化为电信号输出，在环境监测、生产过程中的监控及气体成分分析、气体泄漏报警等方面发挥着日益重要的作用。但是，传统类型的传感器存在着操作温度过高、灵敏度不足、成份分析能力较差的缺点。
- 邹旭明
- 关键词：场效应管增强型
- 通过调控介质材料与硫化钼界面获得高性能硫化钼顶栅晶体管
- 二维材料因其在电学、光学、机械性能以及尺寸方面的独特优势正日益受到关注。石墨烯一度被认为是最有希望的替代者,但是零禁带宽度的特点使石墨烯场效应晶体管的开关比难以超过10。新型二维材料,硫化钼的出现弥补了这一缺陷。硫化钼具...
- 廖蕾邹旭明
- 关键词：二硫化钼原子层沉积
- 文献传递
