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郭文平: 作品数：27 被引量：75H指数：5; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6: 2004年; 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。; 韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征; 关键词：ALGAN ICP 感应耦合等离子体 III-V族氮化物

面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究: 综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最...; 罗毅胡卉韩彦军郭文平邵嘉平薛松孙长征郝智彪; 关键词：干法刻蚀; 文献传递

高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4: 2005年; 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.; 邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪; 关键词：多量子阱材料 GAN 荧光谱发光二极管内建电场

高质量InGaN LED器件的物理特性: GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其...; 郭文平胡卉邵嘉平韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪罗毅; 关键词：INGAN 发光二极管(LED)波长稳定性 GAN材料发光二极管物理特性量子阱结构; 文献传递

一种氮化镓材料的干法刻蚀方法: 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl2/N2/O2这三种气体混合而形成的反应气体生成...; 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪; 文献传递

一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文): 2001年; 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式 ,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确。一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合 ,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近 ,因而得到了更加精确可信的材料结构参数。; 郭文平郝智彪罗毅; 关键词：动力学理论 HRXRD 氮化物半导体

GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究: 利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各...; 韩彦军薛松吴桐郭文平罗毅; 关键词：蓝光发光二极管 GAN材料; 文献传递

p型GaN材料的表面物理特性被引量：7: 2003年; 运用 X射线光电子能谱 (XPS)和俄歇电子能谱 (AES)等表面分析手段对表面状态不同的 p- Ga N样品进行了分析 .在样品表面制作了 Ni/ Au电极并进行了 I- V特性测试 .实验结果表明样品表面镓氮元素化学比 (Ga/ N)的减小以及 C,O杂质含量的减少可以改善电极的欧姆接触性能 .; 薛松韩彦军郭文平孙长征郝智彪罗毅; 关键词：P-GAN 表面物理特性 XPS AES X射线光电子能谱俄歇电子能谱

GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究: 本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方...; 郭文平胡卉邵嘉平孙长征郝智彪罗毅; 关键词：GAN材料 MOCVD; 文献传递