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钟灿
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于映
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吴清鑫
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吴孙桃
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钟灿
年份
1篇
2005
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PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺
本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺,其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上,干后,取出置于掩膜之下,在曝光台上曝光,放置到碱性溶液中显影,待显出所需图形后取出,冲洗,干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PEC...
于映
吴孙桃
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钟灿
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