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闫志瑞

作品数：19 被引量：91H指数：5
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇硅片
  • 5篇硅片清洗
  • 4篇硅片表面
  • 4篇300MM硅...
  • 3篇清洗工艺
  • 3篇化学试剂
  • 3篇SI
  • 2篇倒片
  • 2篇损伤层
  • 2篇清洗机
  • 2篇花篮
  • 2篇RCA清洗
  • 2篇补液
  • 2篇槽式
  • 2篇成品率
  • 2篇大尺寸
  • 1篇单晶
  • 1篇电路
  • 1篇氧化层
  • 1篇原生

机构

  • 18篇北京有色金属...
  • 1篇有色金属研究...

作者

  • 19篇闫志瑞
  • 9篇周旗钢
  • 8篇库黎明
  • 5篇冯泉林
  • 3篇常青
  • 3篇王继
  • 3篇索思卓
  • 2篇李耀东
  • 2篇肖清华
  • 1篇万关良
  • 1篇盛方毓
  • 1篇李耀东
  • 1篇张果虎
  • 1篇王磊
  • 1篇刘红艳
  • 1篇李宗峰
  • 1篇葛钟
  • 1篇常麟
  • 1篇刘大力
  • 1篇鲁进军

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇稀有金属
  • 2篇微电子学
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇2014`全...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
300mm硅片倒片装置
一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底...
库黎明闫志瑞冯泉林常青周旗钢
文献传递
一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺
本发明公开了一种使用稀释的氢氟酸对硅片进行清洗的工艺，该工艺包括：在清洗流程的最后一步化学试剂清洗中使用，氢氟酸清洗液中氢氟酸与水的体积比为HF∶H<Sub>2</Sub>O＝1∶300～1∶2000，稀释的氢氟酸清洗液...
闫志瑞库黎明索思卓葛钟盛方毓
文献传递
Si片磨削中砂轮粒径对Si片损伤层的影响被引量：1
2008年
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亚表面损伤层的厚度并进行了分析比较。结果表明,用粒度更小的3000#砂轮磨削,能够有效地降低Si片表面及亚表面损伤层的厚度,为优化300 mm单晶Si片双面磨削工艺、提高Si片表面磨削质量提供了清晰、量化的实验理论依据。
唐兴昌肖清华周旗钢闫志瑞
关键词：硅片
大直径硅片的制造方法
一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；(2)将磨削片进行常规双面抛光；(3)将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用H...
闫志瑞库黎明索思卓黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓
文献传递
300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
2006年
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。
闫志瑞鲁进军李耀东王继林霖
关键词：化学机械抛光超大规模集成电路硅片
300mm Si片加工及最新发展被引量：1
2009年
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmSi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmSi片加工工艺的发展趋势。
库黎明闫志瑞索思卓周旗钢
关键词：抛光
硅片浅表层损伤缺陷的热演化行为及其表征
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方...
肖清华张果虎冯泉林闫志瑞库黎明
关键词：硅
300mm硅片表面延性磨削机理研究
2009年
根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。
葛钟库黎明陈海滨盛方毓索思卓闫志瑞
关键词：损伤层
双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响
本文利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响,并对硅片表面的化学腐蚀机理进行了讨论.结果表明,抛光速率随pH值逐渐增大,当pH≈9.8时去除速率达到最大值,此时pH值较高的碱性溶液...
库黎明周旗钢李耀东闫志瑞王继
文献传递网络资源链接
硅片清洗及最新发展被引量：31
2003年
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。
刘红艳万关良闫志瑞
关键词：硅片硅片清洗
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共2页<12>
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