闻军
- 作品数：8 被引量：9H指数：1
- 供职机构：安庆师范学院物理与电气工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程文化科学更多>>
- SiCl_4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响
- 2016年
- 研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。
- 祝祖送张杰尹训昌易明芳闻军
- 关键词：微晶硅晶粒等离子体增强化学气相沉积
- “半导体器件原理”课程教学中固体能带理论的应用
- 2015年
- "半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具体应用。笔者的教学实践结果表明,深刻地理解固体能带理论有助于学生对于PN结二极管、双极结型晶体管、肖特基势垒二极管以及金属-氧化物-半导体场效应晶体管等构成半导体器件的基本元器件的物理原理的掌握。
- 闻军朱柱
- 关键词：PN结MOS场效应晶体管
- Nd^(3+):Gd_3Ga_5O_(12)单晶的能级和晶体场计算(英文)被引量：1
- 2011年
- 测试了Nd^(3+):GGG单晶在可见和近红外波段的吸收光谱,并分析指认了它的实验能级,通过从头计算的DV-Xα方法计算得到了它的晶体场参数和旋轨耦合参数。用Nd^(3+):GGG在77 K和300 K的156个、88个实验能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差(即拟合精度)σ分别为15.79 cm^(-1)和11.48 cm^(-1)。结果表明晶体场参数的拟合结果和从头计算值符合的很好。最后比较了拟合得到的Nd^(3+):GGG和已报道Nd^(3+):YAG的自由离子参数和晶体场参数。
- 高进云张庆礼胡流森闻军夏上达郭常新殷绍唐
- 关键词：晶体能级晶体场参数
- 稀土离子发光材料的跃迁选择定则
- 本工作旨在给出各种含稀土离子的发光材料中的光吸收、能量传递和发光及非辐射能量弛豫过程中跃迁发生的选择定则.跃迁选择定则和采取的近似有关，因此，本研究中，根据跃迁所涉及到的电子组态、稀土离子所处的格位对称性、跃迁所涉及到的...
- 闻军段昌奎尹民
- 关键词：稀土离子发光材料光跃迁
- 优质高稳定性微晶硅薄膜的制备被引量：1
- 2016年
- 对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.
- 祝祖送张杰易明芳尹训昌闻军
- 关键词：微晶硅薄膜均匀性PECVD
- 稀土离子激活发光材料中能级跃迁的选择定则被引量：7
- 2011年
- 能级跃迁的选择定则可用于判别含稀土离子的发光材料中的光吸收、能量传递和发光及非辐射能量弛豫过程是否发生。本研究中,我们根据跃迁所涉及到的电子组态、稀土离子所处格位的对称性、跃迁所涉及到的多重态及晶格振动情况进行了细致地讨论分析。对于光吸收和发射过程,我们得到了和相关文献报道一致的结果,并对有些结果进行了更细致的解释。对于非辐射弛豫过程,在考虑到对电子的单体作用的电声子耦合或非谐性作用,我们给出了和辐射过程类似的选择定则。对于能量传递过程,我们讨论了电多极-电多极能量传递的选择定则。我们采用获得的选择定则对文献中报道的几例能量传递与发光过程进行了具体的分析。
- 尹民闻军段昌奎
- 关键词：辐射跃迁稀土
- Y2O3:Eu纳米晶体电荷迁移态的实验与理论分析
- 本工作用燃烧法制备了不同晶粒尺寸的立方Y2O3：Eu纳米晶体粉末。通过XRD和TEM分析了样品的结构和形貌，并测量了样品的激发和发射谱。观察到Y2O3：Eu纳米晶体激发谱中电荷迁移带随着晶粒尺寸的变小而红移。还通过从头算...
- 吴凌远闻军覃延广尹民夏上达
- 关键词：燃烧法红移电荷迁移从头算
- Ca3Sc2Si3O12：Ce3＋的第一性原理研究
- 2015年
- 对ca3sc2si3O12：ce3＋共掺杂N-3、sc3＋、Mn2＋、Mg2＋和Na＋进行第一性原理计算，研究不同的电荷补偿对发光中心Ce3＋的影响．首先利用密度泛函理论构建超晶胞模型对Ce3＋周围的局部结构进行了优化，然后通过CASSCF／CASPT2RASSI—SO计算得到Ce3＋的4f→5d跃迁能量．计算数据与实验光谱相吻合．实验光谱中的一个未知峰值理论分析确认是Sc3＋替代Si4＋导致的．
- 丁文闻军程军宁利新黄玉成段昌奎尹民
- 关键词：第一性原理计算电荷补偿激发光谱
