陆大成
- 作品数：77 被引量：127H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程建筑科学更多>>
- P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
- 2000年
- 研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
- 刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣
- 关键词：P型GANALGAN双异质结蓝光发光二极管
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- 高纯氮化镓外延材料的制备被引量：1
- 1998年
- 用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓（ＧａＮ）外延材料。未掺杂ＧａＮ显ｎ型，室温下（３００Ｋ）背景电子浓度为１．６×１０１７ｃｍ－３，电子迁移率为３６０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。在１９５Ｋ附近电子迁移率达到峰值，为４９０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。发现了该材料中存在深施主能级，其离化能约为３８ｍｅＶ。
- 刘祥林王晓晖汪度汪连山王成新韩培德陆大成林兰英
- 关键词：高纯MOVPE氮化镓
- MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图被引量：4
- 1997年
- 本文基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析，并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图．GaN的MOVPE相图由GaN（s）单凝聚相区、GaN（s）＋Ga（1）双凝聚相区、表面会形成Ga滴和不会形成Ga滴的两个腐蚀区构成．本文着重讨论了生长温度、反应室压力、载气组分、NH3分解率和V／Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响．
- 段树坤陆大成
- 关键词：MOVPE生长氮化镓相图
- MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究被引量：2
- 1996年
- 用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．
- 董建荣李晓兵孙殿照陆大成李建平孔梅影王占国
- 关键词：MOCVDGSMBE
- 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
- 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型...
- 陆大成王晓晖姚文卿刘祥林
- 文献传递
- 利用掺In改善初期生长GaN的形貌及光学性质
- 为了研究掺In对初期生长GaN的影响,我们采用3min短时间生长掺In及不掺In样品对照。生长在低压金属有机物气相外延系统中进行。原子力显微镜观察揭示掺In改变了晶核的形貌,原子力显微镜及光透射实验表明掺In促进了缓冲层...
- 袁海荣陆大成刘祥林陈振王晓晖韩培德汪度
- 关键词：GAN形貌光学性质
- 文献传递
- 氮化镓激光器的关键技术研究
- 刘祥林谢子燕陆大成王晓辉黎大兵焦春美魏鸿源丛光伟董向芸蒋全李书田
- 全世界每年需要生长GaN的MOCVD设备约100台。我国大陆每年进口5台，用于GaN蓝绿光发光二极管的生产和研究。如果每台按700万计算，全世界生长GaN的MOCVD设备每年的销售额达到至少7亿元人民币。随着“国家半导体...
- 关键词：
- 关键词：MOCVD
- GI型特气净化剂研制
- 1989年
- 为了对特种气体进行净化,我们于1984年开展了GI型净化剂的研制。经过几年的努力,已研制成一种能用于永久性气体和特种气体的以镓为主要原料的净化剂,其脱氧深度对于8ppm的氢气可脱到0.03ppm,其脱水可由375ppm(露点-30℃)脱到0.54ppm(露点-80℃)。一、仪器与实验装置采用SIGMA型气相色谱仪、玻璃露点仪与二次仪表(数字式毫伏计)、ZAV-2型黄磷发光微氧仪。实验流程如图1所示。
- 尹恩华陆大成彭永清
- 关键词：气体特种气体净化剂镓
- GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制被引量：3
- 1996年
- 利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。
- 陆大成刘祥林汪度王晓晖林兰英
- 关键词：蓝色发光二极管二极管
