陆峰
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：内蒙古科技大学更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金包头市科技计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法
- 本发明涉及单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法，属于有序纳米金刚石复合结构表面材料工程领域。本发明薄膜是由晶粒相和界面相构成，界面相将晶粒相分隔为纳米尺度晶粒，晶粒之间形成规则的界面相。此纳米金刚石复合结构属于单晶式...
- 刘学杰张素慧任元魏怀陆峰
- 文献传递
- 单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法
- 本发明涉及单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法，属于有序纳米金刚石复合结构表面材料工程领域。本发明薄膜是由晶粒相和界面相构成，界面相将晶粒相分隔为纳米尺度晶粒，晶粒之间形成规则的界面相。此纳米金刚石复合结构属于单晶式...
- 刘学杰张素慧孙士阳任元魏怀陆峰
- 文献传递
- 基于第一性原理方法研究基团在CVD金刚石薄膜(001)表面上的生长被引量：4
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理。计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型。考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变。结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石表面稳定了金刚石结构;基团在金刚石(001)表面吸附演变过程中,H原子起到激活石墨和萃取表面H原子产生活性位的作用;CH2基团比CH3基团能够更好地提高CVD金刚石薄膜的生长率,是薄膜生长过程中最有效基团;CH基团阻碍了薄膜的生长。
- 刘学杰魏怀任元陆峰张素慧银永杰
- 关键词：第一性原理CVD金刚石薄膜基团
- 氮粒子对Ti-Si-N岛构型演变影响的第一性原理计算被引量：1
- 2014年
- 为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并且利用推移弹性带(NEB)的方法计算了各岛构型演变过程中所需的迁移激活能。计算结果表明:Ti粒子在岛内的构型是低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的;在3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si 3种构型的演变方式中,3N-2Ti-1Si构型演变所需的激活能较小,更容易实现构型演变;适量地增加N粒子的沉积比例,可以使岛构型演变所需的激活能减小,促进SiN相与TiN相的分离;当N与Ti的粒子数比例达到3∶2时,界面最容易形成。
- 刘学杰魏怀陆峰吴帅任元银永杰张素慧
- 关键词：激活能第一性原理
- 单晶式多晶体纳米金刚石复合表面电学性质研究
- 金刚石是一种性能优异的特别材料,它在自然界中的硬度极其高,杨氏模量也比较高(约1100 GPa)。另外,它还具有其他优良性能,例如较高的热导率(20 W/cm.K)、较快的传声速率(超过15 Km/s),光的透过频率宽度...
- 陆峰
- 关键词：密度泛函理论电学性质
- 文献传递
