陈志忠
- 作品数：177 被引量：299H指数：9
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- AlGaN MSM紫外探测器被引量：7
- 2006年
- 用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0．3Ga0．7N制备了金属-半导体-金属 (MSM)结构紫外探测器。器件在2．5V偏压时的暗电流为1pA,在6．5V偏压时的暗电流为1nA．在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A／W,在300nm 波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0．3时截止波长为 300nm相一致。
- 成彩晶鲁正雄司俊杰陈志忠张国义孙维国
- 关键词：MSM暗电流光谱响应
- PECVD SiO<,2>/n-GaNMOS结构高频C-V特性
- 陈鹏张荣周玉刚罗志云陈志忠谢世勇袁晓利沈波江若琏
- 关键词：PECVD高频特性
- Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：5
- 2000年
- 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。
- 江若琏罗志云陈卫民臧岚朱顺明刘夏冰程雪梅陈志忠韩平王荣华郑有斗
- 关键词：光电探测器红外探测器
- GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究被引量：8
- 1998年
- 本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，我们获得了ＧａＮ探测器的响应时间及其与偏压的关系．
- 臧岚杨凯张荣沈波陈志忠陈鹏周玉刚郑有炓黄振春
- 关键词：氮化镓紫外探测器
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
- 2008年
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- 光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
- 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和...
- 章蓓包魁罗春雄陈志忠季航陈勇
- 文献传递
- 激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析被引量：2
- 2008年
- 制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联电阻下降了近两个数量级。通过对变温I-V曲线的分析,反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变。隧穿机制的增加是由于激光剥离过程激发了更多缺陷的隧穿活性。然而,蓝宝石衬底LED以及激光剥离薄膜Cu衬底LED的相似的理想因子和等效串联电阻说明激光剥离过程并未对器件的正向电学特性造成大的伤害。因此,高质量、高功率的激光剥离LED器件是可以期待的。对L-I曲线的分析显示,激光剥离过程引入了更多的非辐射复合中心,但激光剥离薄膜Cu衬底LED器件在大电流注入下仍然有着超出常规器件的表现。在300mA注入电流内,激光剥离薄膜Cu衬底LED展示的最大光功率是蓝宝石衬底GaN基LED的1.8倍,饱和电流超过2.5倍。这些结果显示,激光剥离Cu衬底LED仍然是高功率高亮LED的首选方案。
- 孙永健陈志忠齐胜利于彤军康香宁刘鹏张国义朱广敏潘尧波陈诚李仕涛颜建峰郝茂盛
- 关键词：氮化镓发光二极管激光剥离漏电流
- 基于纳米压印方法的SiO2掩膜选区生长GaMnN纳米柱
- 近年来,GaN基LED是固体照明的核心技术,因此,高效率、高亮度和低成本的GaN基LED成为人们所追求的目标.GaN纳米柱因其具有宽高比大、应力释放、易于光萃取、易于实现全彩照()等特点,被认为是实现高效固体照明的方法....
- 蒋盛翔纪骋姜显哲王存达陈志忠张国义
- 一种改善非视觉效应的广色域显示方法
- 本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效...
- 陈志忠聂靖昕陈毅勇潘祚坚邓楚涵张浩东董勃言陈伟华焦飞康香宁席鑫沈波
- Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
- 2002年
- 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5
- 汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓
