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文献类型

  • 3篇期刊文章
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领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇电离辐射
  • 2篇NI-CR
  • 2篇CMOS电路
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇电阻
  • 1篇圆片
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  • 1篇熔丝
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇可编程只读存...
  • 1篇溅射
  • 1篇高稳定
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体集成
  • 1篇半导体集成电...

机构

  • 6篇东北微电子研...
  • 2篇沈阳工业大学

作者

  • 6篇陈桂梅
  • 2篇张丽娟
  • 2篇袁凯
  • 2篇孙承松
  • 2篇董岩
  • 1篇张丽
  • 1篇高松
  • 1篇杨筱莉
  • 1篇蔡震
  • 1篇姚达
  • 1篇许仲德
  • 1篇詹立升
  • 1篇蔡振
  • 1篇王芳

传媒

  • 2篇微处理机
  • 2篇第六届全国抗...
  • 1篇沈阳工业大学...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2002
  • 2篇1999
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究
介绍了首次对CPU类超大规模集成电路(VLSI)所进行的EMP效应的敏感性模拟试验,并简单描述了电磁脉冲方波注入对80C86CPU电路产生的干扰情况.
许仲德高松姚达蔡振陈桂梅袁凯张丽
关键词:CPU电磁脉冲超大规模集成电路
文献传递
CMOS电路电离辐射加固设计
从电离辐射使CMOS电路失效机理入手,进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计,主工对场区和栅氧化进行加固,以提高CMOS电路抗辐射能力,使作者所研制的电路抗辐射能力达到3×10<'3>...
陈桂梅董岩
关键词:CMOS
高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究被引量:6
2005年
本文主要介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的N i-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果。
张丽娟王芳孙承松蔡震陈桂梅
关键词:磁控溅射
CMOS电路电离辐射加因设计
从电离辐射CMOS使电路失效机理入手,进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计,主要对场区和栅氧化进行加固,以提高CMOS电路抗辐射能力,使该所研制的电路抗辐射能力达到3×10<'3>G...
陈桂梅董岩
关键词:CMOS电路
无损筛选的探讨
2002年
无损筛选是当前研究常规电路与加固电路具有抗辐射能力的有效方法,而无损筛选通常是指对电路最终产品进行的一种筛选。本文将以L54HC04电路研制为例,通过对其圆片级进行无损筛选试验,提出一个可以大大降低成本的无损筛选新方法-圆片级无损筛选。
詹立升杨筱莉陈桂梅
关键词:抗辐射加固圆片级半导体集成电路
PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计
2006年
介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.
孙承松张丽娟陈桂梅袁凯
关键词:熔丝可编程只读存储器集成电路
共1页<1>
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