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陈殿营

作品数:6 被引量:29H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程中科院创新基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇氮化
  • 6篇氮化硅
  • 3篇陶瓷
  • 3篇SI
  • 2篇氮化硅晶须
  • 2篇氮化硅陶瓷
  • 2篇石墨坩埚
  • 2篇燃烧合成
  • 2篇热导率
  • 2篇助剂选用
  • 2篇自蔓延
  • 2篇自蔓延燃烧
  • 2篇自蔓延燃烧合...
  • 2篇坩埚
  • 2篇流延
  • 2篇流延成型
  • 2篇晶须
  • 2篇晶须生长
  • 2篇合成制备
  • 2篇高温

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇陈殿营
  • 5篇张宝林
  • 5篇李文兰
  • 5篇庄汉锐
  • 1篇徐素英

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
自蔓延高温合成制备β-氮化硅晶须的方法
一种自蔓延高温合成β-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>晶须的制备方法,属于陶瓷粉末制备领域。本发明是由商业硅粉和α-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>粉按9~5∶1~5的比例混合...
陈殿营张宝林庄汉锐李文兰
文献传递
自蔓延燃烧合成β-Si_3N_4棒晶被引量:9
2002年
采用自蔓延高温合成(SHS),在高压氮气中成功地合成了β-Si3N4棒晶,研究了添加不同量Y2O3对自蔓延燃烧合成β-Si3N4。棒晶长径比的影响.结果表明,Y2O3添加量有一个最佳范围,当Y2O3的添加量在2Wt%~5wt%时,棒晶生长均匀,长径比约为8.通过铜坩埚吸热淬火的方法,观察到β-Si3N4棒晶不同生长阶段的显微形貌,从而推测其生长机理为VLS和VS两种机理协同作用的结果.本文对β-Si3N4棒晶生长的反应历程也进行了阐述.
陈殿营张宝林庄汉锐李文兰徐素英
关键词:自蔓延燃烧合成Β-SI3N4氮化硅陶瓷
shs-β-si<,3>n<,4>棒晶及添加棒晶的si<,3>n<,4>陶瓷研究
氮化硅陶瓷以其高温强度高、抗热震稳定性好、优良的抗氧化硅、耐磨、化学稳定高、低密度等一系列优异性能的组合,在工程陶瓷领域被认为是最具发展前景的陶瓷之一.最近,对氮化硅陶瓷热导率的研究又逐渐成为人们研究的热点,高热导率氮化...
陈殿营
关键词:自蔓延燃烧合成氮化硅流延成型热导率
文献传递网络资源链接
氮化硅流延膜的制备被引量:11
2003年
流延成型是一种制备高质量陶瓷基片的成型方法。氮化硅是一种高热导率的材料 ,有望在电子基片领域获得应用。本文利用流延成型制备了具有较好柔韧性和一定强度的氮化硅流延素坯膜。研究了无水乙醇、无水乙醇 /丁酮作为溶剂时对浆料粘度的影响。通过优化流延浆料添加剂的各种配比 ,得出了适合氮化硅粉体 (SN -E10 )流延的最佳配方。
陈殿营张宝林庄汉锐李文兰
关键词:氮化硅流延成型陶瓷基片热导率添加剂
自蔓延高温合成制备β-氮化硅晶须的方法
一种自蔓延高温合成β-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>晶须的制备方法,属于陶瓷粉末制备领域。本发明是由商业硅粉和α-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>粉按9~5∶1~5的比例混合...
陈殿营张宝林庄汉锐李文兰
文献传递
添加β-Si_3N_4棒晶对氮化硅陶瓷力学性能的影响被引量:9
2003年
将由自蔓延燃烧合成法制备的β—Si3N4棒晶加入到α-Si3N4起始原料中,研究了热压烧结氮化硅陶瓷力学性能的变化.随棒晶添加量的增加,材料的韧性提高,抗弯曲强度下降.与不加棒晶相比,加入8wt%的β-Si3N4棒晶可使陶瓷的韧性从4.0MPa·m1/2提高到6.7MPa·m1/2.断口形貌和压痕裂纹的显微结构观察表明,韧性的提高源于长柱状晶粒的拔出和裂纹的偏转.
陈殿营张宝林庄汉锐李文兰
关键词:氮化硅断裂韧性
共1页<1>
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