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陈汉松

作品数:4 被引量:12H指数:2
供职机构:江苏工业学院信息科学与工程学院功能材料实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束增强沉...
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇氧化钒
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇温度系数
  • 1篇相变
  • 1篇二氧化钒
  • 1篇二氧化钒薄膜
  • 1篇VB程序
  • 1篇VO
  • 1篇掺杂改性
  • 1篇程序开发

机构

  • 4篇江苏工业学院
  • 1篇常州工学院

作者

  • 4篇陈汉松
  • 3篇袁宁一
  • 3篇李金华
  • 2篇周懿
  • 2篇谢建生
  • 1篇陈玉泉

传媒

  • 2篇江苏工业学院...
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇常州工学院学...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用掺杂方法改变VO_2多晶薄膜相变温度研究被引量:6
2005年
用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。
谢建生李金华袁宁一陈汉松周懿
关键词:二氧化钒薄膜掺杂改性相变
离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数被引量:2
2003年
用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07%.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应力,使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大,可能是TCR增大的原因.
李金华袁宁一陈汉松
关键词:离子束增强沉积氧化钒薄膜
浅谈VB程序的调试和错误处理被引量:3
2004年
对VB应用程序的调试中易出现的错误进行了分析,并结合笔者在VB程序设计教学科研实践中的体会和经验,提出了解决问题的方法,并强调熟练掌握VB程序调试技巧的重要性。这些对于提高VB应用程序的开发效率是非常有用的。
陈玉泉陈汉松
关键词:VB程序程序开发
离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备被引量:1
2005年
用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积 膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO)。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致 密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜。探索用IBED方法在Si和SiO2衬底上制备优质掺杂薄膜的可能性。初步研究了ANZO共掺 杂薄膜的结构、电学和光学性能。
谢建生李金华袁宁一陈汉松周懿
关键词:氧化锌薄膜退火离子束增强沉积
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