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陈程程

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:北京市产品质量监督检验院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市科技新星计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学自然科学总论电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 3篇GAN
  • 3篇场发射
  • 2篇纳米
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间
  • 1篇退火温度
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇纳米AL
  • 1篇晶界
  • 1篇基底
  • 1篇管理框架
  • 1篇SIC
  • 1篇ALGAN
  • 1篇产品测评
  • 1篇场发射性能

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 2篇北京市产品质...

作者

  • 4篇陈程程
  • 3篇严辉
  • 3篇王如志
  • 3篇王波
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇刘立英
  • 1篇邓泽英
  • 1篇沈震

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇中国检验检测
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
退火时间对SiC基GaN纳米薄膜场发射性能的影响
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在SiC基底上制备了系列相同厚度的GaN纳米薄膜,并将其进行不同时间的退火并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析,结果表明:退火时间对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。随着退...
陈程程王如志王波严辉
关键词:SICGAN退火温度场发射
文献传递
不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究被引量:5
2013年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
陈程程刘立英王如志宋雪梅王波严辉
关键词:基底GAN场发射
产品测评管理框架与评价体系构建研究
2021年
本文通过分析发达国家产品测评有效实施与质量治理的成功经验,研究我国第三方机构产品测评规范管理策略;通过对产品评价体系构建要素的研究,提出消费品产品质量多维度评价体系构建方法;以儿童床为例开展产品质量评价典型示范应用。
邓泽英陈程程何雨耕刘瑞文
关键词:产品测评
多层纳米AlGaN薄膜制备及其场发射性能被引量:1
2016年
本文采用激光脉冲沉积系统在SiC基底上制备了GaN/AlN/GaN多层纳米结构薄膜,探索了多层纳米薄膜量子结构增强场发射性能.X射线衍射和扫描电子显微镜结果表明,已成功制备出了界面清晰、结晶良好的GaN/AlN/GaN多层纳米薄膜.场发射测试结果表明:多层纳米薄膜结构相对于GaN和AlN单层纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升.其开启电场低至0.93V/μm,电流密度在5.5V/μm时已经能够达到30mA/cm^2.随后进一步分析了纳米结构增强场发射机理,电子在GaN/AlN/GaN多层纳米薄膜结构中的量子阱中积累使其表面势垒高度显著下降,并通过共振隧穿效应进一步提高电子的透过概率,从而使场发射性能极大提高.研究结果将为应用于高性能场发射器件的纳米薄膜材料的制备提供一种好的技术方案.
沈震陈程程王如志王波严辉
共1页<1>
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