高平
- 作品数：20 被引量：49H指数：4
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响被引量：8
- 2007年
- 本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体。未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{000 1-}、六棱锥面＋p{10 1-1}和-p{10 1-1-},一般不显露{0001}面。前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5~20μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面＋p{10 1-1}、负锥面-p{10 1-1-}和负极面-c{000 1-}。由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷。当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm^2/（V.s）,载流子浓度约为2×10^20cm^-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体。
- 韦志仁李哲胡志鹏罗小平高平王伟伟董国义
- 关键词：氧化锌水热法晶体
- 掺Sn金红相TiO_2纳米晶的水热制备(英文)被引量：1
- 2007年
- 本文采用水热法,以TiCl3和SnCl4.5H2O水溶液为前驱物,在180℃温度下反应24h。X能谱(EDS)显示:当前驱物中Ti3 +、Sn4 +离子比为4:1时,所得复合半导体纳米晶体中掺入的Sn的原子百分比为1%;当前驱物中Ti3 +、Sn4 +离子比为1:1时,掺入Sn的原子百分比为2.8%。实验结果表明在TiO2金红相中进行晶格替代掺杂是比较困难的。
- 韦志仁罗小平付三玲李哲胡志鹏高平王伟伟董国义
- 关键词：水热法复合纳米晶
- Co掺杂对ZnO晶体中光生电子瞬态过程的影响被引量：1
- 2009年
- 采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程。发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183℃和-127℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一。微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802ns。ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10～20ns。结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用。
- 韦志仁强勇彭翔宇高平董国义
- 关键词：ZNO电子陷阱掺杂
- 常压化学水解反应生长氧化锌晶体
- 2007年
- 采用ZnCl2.2H2O在常压下高温水解反应生长ZnO晶体,反应温度为500℃。当以SiC为衬底时,可以获得六棱柱形氧化锌晶体,直径约为10μm,长为30-100μm。当衬底为蓝宝石时,氧化锌沿[0001]呈定向柱状生长,柱的直径为5-10μm,柱之间具有较多的内部缺陷。当以ZnO为衬底时,在{0001}面,形成连续膜,表面扫描电镜分析表明,晶体具有明显的极性生长特征,[0001]方向呈螺旋柱状生长。在{0001-}面,晶体的平整性较好,呈现台阶性生长。
- 蔡淑珍秦向东高平李哲罗小平胡志鹏付三玲韦志仁
- 关键词：氧化锌衬底
- TiCl_3水热合成纯金红相和锐钛相TiO_2纳米晶体被引量：10
- 2007年
- 本文采用水热法，以TiCl3为前驱物，在180℃反应24h，合成了金红相纳米TiO2棒状晶体，晶体直径为50～100nm，长度为100～200nm。当添加10mol／LNaCl作矿化剂时，晶体长度达到600～800nm。当溶液中添加KF浓度为0．05mol／L时，生成物仍为金红相，晶体直径约为50nm，长度约为100nm。当溶液中添加KF浓度为0．7moL／L时，生成纯锐钛相纳米TiO2，晶体颗粒均匀，呈四方形，边长100nm左右。当KF浓度为1mol／L时，生成物仍为锐钛相，但晶体边长降为50nm左右。实验结果表明氟离子对锐钛相的形成有很强的诱导作用。
- 韦志仁罗小平付三玲李哲胡志鹏高平王伟伟董国义
- 关键词：水热法二氧化钛矿化剂
- 水热法合成微米级棒状SnO_2被引量：3
- 2007年
- 本文采用水热法，以SnCi4·5H2O和ZnO为前驱物，6mol／LKOH作矿化剂，低温180℃反应12h，高温430℃反应24h，合成了微米级棒状SnO2。测量了合成材料的X射线衍射谱（XRD），利用透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）对晶体的形貌进行了表征。实验结果表明，在低温180℃时首先合成了ZnSnO3，提高温度到430℃，利用ZnSnO3高温分解的特性提供了SnO2晶体生长的溶质条件，使SnO2晶体持续生长，合成了微米级SnO2，晶体直径可达0．3～0．5μm，长度约为3～10μm。通过在酸性溶液中浸泡生成物，可以获得纯SnO2晶体。
- 董国义胡志鹏李哲罗小平高平王伟伟韦志仁
- 关键词：水热法SNO2晶体形貌
- Co、Sn共掺杂ZnO晶体的制备及其磁性被引量：3
- 2012年
- 采用6 mol/L KOH作为矿化剂,SnO2、CoCl2和ZnO按物质的量比为0.02∶0.5∶1的比例混合作为前驱物,填充度70%,温度430℃,时间24 h,采用水热法制备出Co、Sn元素掺杂的ZnO晶体。Sn元素掺杂明显改变了晶体的极性生长特征,较大面积的显露正极面c{0001}面,还显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负锥面{101-1-}和负极面{0001}以及正锥面{1012}和负锥面{101-2-},晶体长度约为50μm。经过EDS测量表征,发现制备的ZnO单晶中Co元素的含量达到10.89at%,生成物中出现少量Co氧化物,SQUID测量表明样品主要表现为顺磁性。
- 韦志仁韩伟超马玲鸾段光杰刘清波强勇高平张晓军
- 关键词：水热法氧化锌顺磁性
- 纳米技术应用于军事领域产生的效应及其对未来战争的影响
- 2014年
- 蓬勃发展的纳米技术使人类对物质世界有了更为深入的认识,纳米技术的应用越来越受到人们的重视,军事领域也不例外。纳米技术应用于军事领域的诸多方面,有效地提高了军队作战效能,同时也带有一定的风险,对未来战争将产生深远影响。
- 段光杰李明军高平
- 关键词：军事领域
- 温度及矿化剂对水热法合成In_2O_3晶体的影响被引量：3
- 2010年
- 采用水热法,以In(OH)3为前驱物,纯水或添加1mol/LKOH和5mol/L KOH分别作矿化剂,填充度为35%,分别在200℃、250℃和350℃条件下反应24h合成了In(OH)3、InOOH和In2O3晶体。研究了在不同温度和使用不同矿化剂时,In(OH)3、InOOH、In2O3相转化规律,并对它们的形貌进行了分析。实验发现:在纯水条件下,200℃时,In(OH)3未发生晶相转化和明显的二次结晶过程,晶体无特定形貌;在250℃、350℃时,晶体转化为InOOH。当矿化剂浓度为1mol/L KOH和5mol/L KOH,温度为200℃时,In(OH)3晶体出现了二次晶化,特别是在5mol/LKOH时,最大晶体尺度达到20μm,最小晶体仅为200nm;当温度达到250℃时,生成InOOH晶体和少量In2O3。超过350℃,水热反应生成立方铁锰矿相In2O3,晶体边长超过50μm,显露{001}、{010}、{100}以及{101}等晶面。
- 韦志仁强勇郭树青彭翔宇高平田帅董国义
- 关键词：IN2O3晶体矿化剂水热法
- 化学气相输运法(CVT)制备微米级的喇叭管状ZnO晶体被引量：1
- 2008年
- 氧化锌为直接带隙宽禁带半导体材料,由于其优良的光电性能,预计在未来光电信息领域有着巨大的应用前景,引起了广泛的研究兴趣。
- 韦志仁李振军高平张利明董国义
- 关键词：晶体
