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高进

作品数:5 被引量:10H指数:2
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家磁约束核聚变能发展研究专项更多>>
相关领域:核科学技术金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇核科学技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇辐照
  • 2篇
  • 1篇电镜
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇形状记忆
  • 1篇形状记忆合金
  • 1篇氧化物
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇气泡
  • 1篇微观结构
  • 1篇位错
  • 1篇位错环
  • 1篇温度变化
  • 1篇稳定性
  • 1篇相变
  • 1篇记忆合金
  • 1篇合金
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 5篇北京科技大学
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇中航工业北京...

作者

  • 5篇万发荣
  • 5篇高进
  • 2篇龙毅
  • 2篇杨善武
  • 2篇詹倩
  • 2篇崔丽娟
  • 2篇张高伟
  • 1篇杜玉峰
  • 1篇黄绍松
  • 1篇莫露
  • 1篇贺建超
  • 1篇邓东
  • 1篇陈东升
  • 1篇李杰
  • 1篇张磊

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇有色金属工程

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
氢离子辐照纯钒中形成的位错环被引量:5
2016年
钒合金作为聚变堆候选材料,其辐照损伤行为一直是关注的重点.研究辐照时形成的位错环的性质,其意义在于揭示纯钒中辐照空洞的长大机理.这种机理表现为不同类型位错环对点缺陷吸收的偏压不同,从而影响金属的辐照肿胀.本文利用加速器对纯钒薄膜样品进行氢离子辐照,然后,利用透射电镜的inside-outside方法分析氢离子辐照所形成的位错环的类型.结果表明,在氢离子辐照纯钒中没有发现柏氏矢量b=<100>的位错环,只有柏氏矢量b=1/2<111>和b=<110>的位错环,这两种位错环的惯性面处于110—112之间.能确定性质的位错环全部为间隙型位错环,未发现空位型位错环.
崔丽娟高进杜玉峰张高伟张磊龙毅杨善武詹倩万发荣
关键词:透射电镜位错环
辐照过程中He对ODS合金中氧化物的影响被引量:1
2016年
研究辐照下He在氧化物弥散强化材料中小于5nm的氧化物颗粒的稳定性。在有He环境下,对14YWT氧化物弥散强化材料进行高温离子辐照。采用三维原子探针(APT)对辐照前后样品中的氧化物颗粒的大小、密度、成分以及其空间分布进行分析。结果表明:小于5nm的弥散氧化物颗粒主要是由Y和Ti的氧化物组成,在辐照前后其成分、尺寸和空间分布无明显变化,说明在600℃高温重离子辐照过程中,在有He环境下铁素体ODS材料中弥散氧化物颗粒仍具有良好的稳定性。
贺建超高进邓东万发荣
关键词:辐照稳定性
低温形状记忆合金的相变温度变化被引量:3
2012年
利用低温电阻法、差示扫描量热法(DSC)、物性测量系统(PPMS)等手段对马氏体相变温度为100 K左右的低温Cu-Al-Mn形状记忆合金的相变温度进行了测量,研究了不同热处理工艺下的相变点变化。结果表明,淬火后的记忆合金相变温度相比退火后明显降低,而不同的淬火速率也使Cu-Al-Mn形状记忆合金相变温度有所变化。
莫露万发荣龙毅黄绍松高进陈东升
关键词:形状记忆合金
电子束辐照下的注氘铝的结构变化被引量:2
2016年
利用离子加速器在室温下对纯铝注入氘离子或氢离子,然后在透射电镜中对注氘铝或注氢铝中的气泡进行电子束辐照,发现在电子束辐照下气泡会长大、破裂.随着气泡的变化,选区电子衍射花样中出现了表示多晶存在的衍射环.这表明电子束辐照气泡时,发生某种放热现象,从而使附近的铝先熔化后再凝固,由单晶变为多晶.
李杰高进万发荣
关键词:电子束辐照微观结构
氢离子辐照后在纯钒中形成的微观缺陷分析
钒合金具有良好的低活化性、能够与液态锂兼容,以及高温强度、抗中子辐照等性能,是作为核聚变堆增殖包层的比较理想的候选结构材料。但是,与铁基合金的研究相比,对于钒合金辐照损伤的研究还不够深入,尤其是对于钒合金中由于辐照形成的...
万发荣崔丽娟高进张高伟杨善武詹倩
共1页<1>
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