魏正和
- 作品数：14 被引量：63H指数：5
- 供职机构：武汉大学更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
- MIS在实验室管理中的应用
- 介绍了一个通过计算机对实验室的各种信息进行管理的计算机软、硬件系统(LIMS).通过Intranet或者Internet可以实现了实验室各类信息的管理和共享。
- 刘海林李华明李玲魏正和于国萍
- 关键词：实验室信息管理系统查询语言
- 文献传递
- TiO_2纳米晶的等离子体改性及光电转换性能的研究被引量：2
- 2005年
- 用反应射频溅射法和涂敷法在导电玻璃上制备TiO2薄膜,并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理。按“三明治”结构将TiO2工作电极、Pt/C对电极、0.5MKI+0.05MI2电解液组装成光电池,测量其开路电压和短路电流。结果表明经过Ar射频等离子处理后,溅射法和涂敷法制备的TiO2薄膜组装的光电池的光电流分别提高了约80%和60%。
- 韩俊波于国萍魏正和王取泉周正国
- 关键词：等离子体处理射频溅射光电转换
- 偏振光的特性研究及其检测综合实验简介被引量：9
- 2002年
- 利用微机辅助开设了偏振光特性研究和检测实验 ,该实验使光学实验与电子线路、微机原理及接口技术相结合 。
- 于国萍魏正和刘海林李玲张勇
- 关键词：偏振光偏振状态光电检测特性分析高校
- SnO_2气敏薄膜的制作与性能研究被引量：2
- 2003年
- 采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1100℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收.
- 于国萍易涛魏正和曾志峰
- 关键词：制作方法射频溅射法退火温度金属氧化物半导体
- 提高TiO<Sub>2</Sub>光电池光电转换效率的方法
- 本发明是一种用气体(如Ar、He、N<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>+H<Sub>2</Sub>)射频等离子体对TiO<Sub>2</Sub>纳米晶进行处理，来提高TiO<Sub>2</Sub>光电池...
- 王取泉韩俊波周慧君于国萍魏正和周正国钟家柽
- 文献传递
- 偏振光的特性研究及其检测
- 介绍了一个偏振光特性研究和检测的实验,该实验涉及到光学、电子线路、微机原理及接口技术等课程的内容,可作为对高年级学生开设的综合性实验。
- 于国萍魏正和刘海林李玲张勇
- 关键词：偏振光光学实验电子线路微机原理
- 文献传递
- 基于步进电机非线性折射率测控系统设计
- 2005年
- 提出了一个基于步进电机非线性折射率测控系统.整个系统以AT89C51单片机为核心,设计了步进电机驱动电路,光电探测电路和A/D转换电路实现对非线性折射率的测量.用VC++6.0编写了上位机软件,实现单片机与上位机通信,对测量数据的分析、处理以及对整个测控系统的控制.
- 陶玉茂黄启俊魏正和
- 关键词：非线性折射率步进电机光电探测A/D转换串行通信
- 提高TiO<Sub>2</Sub>光电池光电转换效率的方法
- 本发明是一种用气体(如Ar、He、N<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>+H<Sub>2</Sub>)射频等离子体对TiO<Sub>2</Sub>纳米晶进行处理，来提高TiO<Sub>2</Sub>光电池...
- 王取泉韩俊波周慧君于国萍魏正和周正国钟家柽
- 文献传递
- 射频溅射法制备掺铂TiO_2薄膜的基本性质被引量：1
- 2004年
- 用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜.用X射线衍射仪(XRD),紫外 可见(UV vis)光谱仪,电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征.研究结果表明:掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长;TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移,其光谱响应范围得到了提高;铂氧化物的分解,促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物,同时导致单质铂在薄膜表面发生富集.
- 何永华于国萍魏正和曾志锋
- 关键词：射频溅射法二氧化钛薄膜富积表面形貌
- 射频溅射法制备掺杂SnO_2纳米薄膜的研究被引量：5
- 2004年
- 采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度.
- 曾志峰于国萍魏正和何永华
- 关键词：射频溅射法掺杂二氧化锡薄膜
