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黄力

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：北京航空航天大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇介质
  • 1篇高K材料
  • 1篇FINFET

机构

  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 1篇郑晓虎
  • 1篇肖志松
  • 1篇黄力
  • 1篇王玫
  • 1篇黄安平

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
2012年
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
关键词：高K材料FINFET
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