龚树萍
- 作品数：261 被引量：653H指数：14
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- 相关领域：电子电信化学工程电气工程一般工业技术更多>>
- 新型线性热敏陶瓷复合材料的设计与实现
- 1996年
- 通过对Ｂａ（Ｓｎ，Ｓｂ）Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３化合物的复合，设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构．由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征．通过调节Ｂｉ２Ｏ３的含量，可以方便地调节复合材料的室温电阻率．
- 吕文中周东祥龚树萍王红玲
- 关键词：陶瓷复合材料热敏陶瓷半导体
- CaCu_3Ti_4O_(12)/聚偏氟乙烯复合材料的介电性能研究被引量：6
- 2009年
- 采用溶液混合随后热压的方法制备了CaCu3Ti4O12/聚偏氟乙烯(CCTO/PVDF)复合材料。采用XRD对复合材料的物相结构进行了分析。研究了复合材料的介电常数与CCTO体积分数的关系。结果表明,在10kHz下,当CCTO含量等于50%(体积分数)时,复合材料的介电常数达到81。采用Maxwell-Garnett模型、Jaysundere模型和Yamada模型分别对实验结果进行了预测和比较,其中Yamada模型与实验结果符合得较好。
- 王法军周东祥龚树萍郑志平
- 关键词：复合材料介电性能CACU3TI4O12聚偏氟乙烯
- 功能陶瓷特性参数测试系统
- 周东祥黎步银曾亦可龚树萍付明吕文中
- 信息功能陶瓷的基本特性是导电和介电特性，电导及其与外界应力（如温度、电压等）的关系是多数信息功能陶瓷最重要的特征参数；对微波陶瓷等介质陶瓷而言，材料的介电性能是至关重要的。发明可对信息功能陶瓷的电导及介电特性等进行全面测...
- 关键词：
- 关键词：功能陶瓷特性参数测试系统
- 施主掺杂的（MgCoNi）O系材料的高温电导研究
- 1996年
- 研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释．
- 黎步银周东祥龚树萍吕文中
- 关键词：施主氧分压半导体器件电导
- 复合钙钛矿结构高温压电陶瓷材料的研究被引量：1
- 1996年
- 研究了Ｐｈ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴＩＯ３陶瓷的高温压电性能．结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴＩＯ３进行Ａ和Ｂ位复合取代可得到压电性能优良、适合于高温应用的压电陶瓷材料．其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ｂｉ３＋的半径、Ｂｉ３＋在Ａ位取代所产生的铅缺位以及Ｂ位复合取代的钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关．
- 姜胜林龚树萍黎步银周东祥
- 关键词：压电陶瓷材料居里温度
- 一种三频段低温共烧陶瓷手机天线
- 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层...
- 龚树萍胡云香周东祥傅邱云郑志平刘欢曲景润
- PTC陶瓷电辅助加热器件
- 本实用新型公开的PTC陶瓷电辅助加热器件由发热体、电极构成,所述电极上设有引出端子,发热体为蜂窝状PTC陶瓷发热体,发热体上有若干通风孔,该通风孔为密堆分布、并垂直于表面且贯穿于发热体,发热体的正反表面均有导电浆料层,并...
- 周东祥胡云香龚树萍黎步银
- 文献传递
- 一种多层布线用黑色氧化铝基片的制备方法
- 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶...
- 周东祥赵俊龚树萍胡云香郑志平刘欢傅邱云
- 文献传递
- 差热分析仪计算机控温系统研究被引量：2
- 2000年
- 利用PC机进行控制、分析和处理的差热分析仪对反应炉温度的控制采用了直接数字控制方式 (DDC) ,通过前端的采样电路 ,将炉体、反应物及标准试样的温度信号送入PC机内进行分析和处理 ,计算出反应物与标准试样的温度差值并绘图 ,同时根据炉体温度和预先设定条件 ,利用位置式PID算法计算出控制量 ,输出到激励电路 。
- 陈静炜龚树萍周东祥黄正伟付邱云
- 关键词：差热分析仪
- Ca^(2+)掺杂对PTCR元件电性能的影响被引量：1
- 1997年
- 研究了Ｃａ２＋取代Ｂａ２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升．Ｃａ２＋取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧上升．这种现象与晶界缓冲效应有关．
- 章天金何昌鑫周东祥龚树萍
- 关键词：电性能半导体陶瓷钙离子掺杂PTCR元件
