丁颖
- 作品数：24 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双波长多量子阱激光器设计与计算机辅助分析
- 2002年
- 采用模拟计算 ,结合实验数据 ,初步设计了通过 Ga As隧道结联接的 6 5 0 nm/ 780 nm双波长多量子阱 (MQW)激光器。分别对 6 5 0 nm、780 nm MQW有源区部分进行模拟 ,计算得出激光器的横向模式特性、近场分布和远场发散角。对激光器折射率导引结构侧向模式进行了定性分析 。
- 丁颖李建军郭伟玲崔碧峰张丽沈光地
- 关键词：计算机辅助分析
- 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：4
- 2006年
- 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1·66μm和1·74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1·74μm激光器的特征温度T0=57K,和1·55μmInGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
- 潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩
- 关键词：MOCVDINGAAS/INGAASP应变量子阱分布反馈激光器
- 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法
- 本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学...
- 丁颖王圩潘教青王宝军陈娓兮
- 文献传递
- 隧道级联双波长量子阱激光器的特性分析与设计
- 该论文的主要研究内容包括两个部分：一、大功率950nm/990nm双波长应变量子阱激光器的模拟计算、实验与器件的特性分析;二、650nm/780nm双波长多量子阱激光器的模拟计算与设计,在此之前,对650nm附近波长应变...
- 丁颖
- 关键词：双波长激光器隧道结
- 文献传递
- 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备
- 本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激...
- 倪海桥丁颖徐应强李密锋喻颖査国伟徐建新牛智川
- 文献传递
- 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
- 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上...
- 倪海桥丁颖李密锋喻颖査国伟牛智川
- 文献传递
- 半导体锁模激光器的最新研究进展被引量：6
- 2013年
- 超短脉冲激光源在光纤通信、生物医学成像等方面具有重要的应用前景。半导体锁模激光器具有体积小、重量轻、效率高、价格便宜等一系列优点。因此半导体锁模激光器成为超短脉冲激光源的理想选择。通过对400nm～2μm范围各个波段半导体锁模激光器的最新研究报道进行分析和总结,全面介绍了半导体锁模激光器的研究进展。
- 王火雷孔亮潘教青徐天鸿计伟倪海桥崔碧峰丁颖
- 关键词：激光器半导体超短脉冲
- 一种PiNiN结构晶闸管激光器
- 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N...
- 王火雷丁颖王宝军边静王圩潘教青
- 文献传递
- 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器
- 一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱...
- 丁颖王圩王书学朱洪亮
- 文献传递
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
