乐小云
- 作品数：57 被引量：91H指数：6
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信核科学技术更多>>
- 一种利用强脉冲离子束制备具有连续过渡层的镀层的方法
- 本发明公开了一种利用强脉冲离子束制备具有连续过渡层的镀层的方法，按照下述步骤进行：(1)对基底材料进行打磨、抛光、超声清洗；(2)利用磁控溅射法在基底材料上沉积镀层材料；(3)利用强脉冲离子束的一个脉冲辐照步骤(2)制备...
- 梁家昌乐小云胡雪兰颜莎王志平张鹏陈悦陈逸飞张艳燕荣翠华刘冶
- 一种电子束烧蚀推进方法及系统
- 本发明提供一种电子束烧蚀推进方法及系统，该电子束烧蚀推进方法包括：采用电子束产生装置产生电子束，并使所述电子束经过所述电子束产生装置的出口射向靶材；所述电子束烧蚀所述靶材产生反冲推力推动所述靶材。本发明的能量转换效率非常...
- 乐小云王莹张高龙张洁荣翠华王立英喻晓沈杰屈卫卫郭晨雷
- 文献传递
- 重核大集团发射半衰期的计算
- 2009年
- 重核大集团(14C-34Si)发射的半衰期在理论上用Wentzel-Kramers-Brillouin近似进行了计算.利用双折叠模型计算大集团和剩余子核间的核相互作用,在折叠积分中选取了密度依赖的、零力程交换项的核子-核子相互作用.计算得到的半衰期和液滴模型结果、系统公式的结果以及实验数据进行了比较,表明目前的计算能够很好地给出重核大集团(14C-34Si)发射的寿命.这可为重核其他大集团(15N,46Ar,48Ca等)的发射提供可靠的预测.
- 张高龙刘浩乐小云
- 关键词：半衰期
- CsB3O5晶体高效三倍频产生28.3W 355nm激光被引量：3
- 2016年
- 利用CsB_3O_5(CBO)晶体对Nd:YAG声光调Q准连续1064 nm激光的高效三倍频效应获得高功率355 nm激光输出.1064 nm激光采用大功率脉冲式半导体激光(LD)列阵侧面抽运Nd:YAG晶体的主振荡-功率放大(MOPA)系统实现210 W的调Q准连续输出,激光以1 kHz脉冲串方试运转,每个脉冲串包含5个调Q脉冲,单脉冲宽度为40 ns.经I类LiB_3O_5(LBO)晶体倍频产生98 W 532 nm绿光.通过30 mm长的II类CBO晶体对1064 nm与532 nm光和频获得28.3 W的355 nm紫外光,相应的三倍频转换效率为13.5%,比相同条件下II类LBO晶体高28.6%.研究了CBO三倍频产生355 nm光的温度敏感特性,得到其温度带宽为25?C,远大于LBO晶体的4?C.实验证明,CBO晶体在三倍频产生355 nm的转换效率和温度不敏感性方面均优于LBO晶体.
- 谢仕永鲁远甫张小富乐小云杨程亮王保山许祖彦
- 关键词：三倍频
- 强脉冲离子束辐照金属材料表面热力学效应计算被引量：18
- 2001年
- 简要讨论了强脉冲离子束与金属靶材料相互作用的理论模型 ,以此为基础应用数值计算的方法模拟计算了离子能量为 1 .0 Me V和 3 0 0 ke V,束流密度分别为 1 0 A/ cm2 ,50 A/cm2 和 1 0 0 A/ cm2 的质子束与金属铝靶材料相互作用时的热力学效应 ,给出了铝在辐照后内部的温度分布、温度梯度分布 ,以及温度变化速率 (加热速率与冷却速率 )、热激波的产生与传播过程及应力等模拟计算结果。
- 乐小云赵渭江颜莎韩宝玺向伟
- 关键词：强脉冲离子束数值模拟材料表面改性辐照ICF
- 强脉冲离子束材料表面改性研究进展
- 强脉冲离子束材料表面改性技术是正在发展中的新的材料表面改性技术.由于它除了离子注入的元素掺杂效应外,其更可利用强脉冲能量沉积诱发的热力学效应,有望突破离子射程对改性层厚度的限制,并高效利用离子剂量和能量,成为新一代低成本...
- 赵渭江颜莎乐小云向伟韩宝玺王宇钢薛建明
- 关键词：强脉冲离子束材料表面改性
- 文献传递
- 强脉冲离子束材料表面改性研究进展被引量：9
- 2003年
- 强脉冲离子束材料表面改性技术是正在发展中的新的材料表面改性技术。近四、五年来,我们围绕发展强脉冲离子束材料表面改性技术对其主要机制(强脉冲能量效应)、离子辐照诱发的热力学过程、表面熔坑现象及大面积均匀离子束技术开展了比较全面的基础性研究。研究表明,强脉冲离子束改性除了离子注入的元素掺杂效应外,其更可利用强脉冲能量沉积诱发的热力学效应,有望突破离子射程对改性层厚度的限制,并高效利用离子剂量和能量,成为新一代低成本、高效率、高生产率、实用化的离子束材料改性与合成工艺。本文对于上述研究的主要进展和相关问题进行了总结和评论。
- 赵渭江颜莎乐小云向伟韩宝玺王宇钢薛建明
- 关键词：强脉冲离子束材料表面改性
- 利用双折叠模型对弹核为α的熔合垒高度和位置的系统学分析
- 2012年
- 本文系统分析了α粒子与不同的靶核熔合时,势垒高度和位置与相互作用核的电荷数和均方根半径的关系.通过基于密度依赖的核子-核子相互作用(CDM3Y6)的双折叠模型来计算核势.得到了当弹核为α时垒高度和位置的参数化公式.通过分析质量数从16到238的原子核表明,参数化公式可以精确地再现弹核为α的熔合反应的垒高度和位置,其精确度在土1%以内.此外,其结果还能很好地和实验值,经验值,Royer,KNS,AW和亲近势的结果相符合.
- 屈卫卫张高龙乐小云
- 关键词：熔合反应参数化
- 强脉冲离子束辐照GH202镍基高温合金表面改性被引量：2
- 2018年
- 为改善GH202镍基高温合金的表面性能,使用成分为C^(n+)和H^+、加速电压为250kV的强脉冲离子束(IPIBs)对其进行表面辐照处理。采用光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和显微硬度计等分别对不同参数辐照后的试样的表面形貌及性能进行测试。结果表明:辐照后GH202合金表面产生了熔坑,熔坑的尺寸随能量密度的增加而增加,最大可至70μm。熔坑的产生源于表层低熔点组分的喷发。表层的γ'相消失,辐照之后的试样表层产生了M_(23)C_6结构的碳化物并在辐照过程中受到压应力作用。辐照后试样表层近百微米深度内显微硬度均获得不同程度的提高。在高温氧化时,辐照后的样品表面更易于形成Cr_2O_3和Al_2O_3连续膜层氧化物,阻碍O元素向基体扩散,使得抗高温氧化性能得到改善。
- 钟昊玟梁家昌赵小勇张世贵乐小云
- 关键词：强脉冲离子束镍基高温合金显微硬度抗高温氧化性能
- GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究
- 1999年
- 各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为，在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明，污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ，而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明，施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ），受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．
- 乐小云梁家昌
- 关键词：砷化镓复合发光
