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刘媛媛

作品数:61 被引量:107H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目中国政法大学青年教师学术创新团队项目更多>>
相关领域:电子电信理学农业科学文化科学更多>>

文献类型

  • 30篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 38篇激光
  • 30篇激光器
  • 26篇半导体
  • 19篇半导体激光
  • 18篇列阵
  • 18篇半导体激光器
  • 12篇二极管
  • 11篇激光二极管
  • 9篇热沉
  • 9篇光束
  • 8篇功率半导体
  • 8篇高功率
  • 7篇功率
  • 7篇光纤
  • 6篇列阵器件
  • 6篇波导
  • 5篇固体激光
  • 5篇固体激光器
  • 5篇光束整形
  • 5篇发散角

机构

  • 61篇中国科学院
  • 3篇中国政法大学
  • 2篇华北电力大学
  • 2篇中国矿业大学...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院脑...

作者

  • 61篇刘媛媛
  • 49篇马骁宇
  • 20篇冯小明
  • 20篇方高瞻
  • 15篇李伟
  • 15篇王翠鸾
  • 14篇刘素平
  • 14篇王晓薇
  • 12篇肖建伟
  • 12篇韩淋
  • 9篇刘斌
  • 7篇王俊
  • 7篇吴芃
  • 5篇杨富华
  • 5篇白一鸣
  • 5篇王勇刚
  • 4篇崇锋
  • 4篇熊聪
  • 4篇仲莉
  • 3篇张敬明

传媒

  • 5篇Journa...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇激光与光电子...
  • 4篇中国激光
  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇激光杂志
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十届全国光...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 11篇2010
  • 7篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 3篇2002
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有角度调节功能的样品托
一种具有角度调节功能的样品托,包括:一基台,在圆心的直径方向有一条V形固定槽;一角度调节杆,为矩形结构,与角度调节杆纵向垂直的该角度调节杆下面有一条三角凸起,该三角凸起与基台上的V形固定槽配合;一弹簧,其一端位于基台上的...
刘媛媛杨富华
文献传递
一种二极管激光泵浦头
本发明涉及光电子技术领域,公开了一种二极管激光泵浦头,包括:采用侧面光泵浦形式将半导体激光器列阵器件发出的光均匀地照射在激光晶体上的一多边形密闭型泵浦腔;位于所述多边形密闭型泵浦腔内部的一激光晶体;用于给二极管激光泵浦头...
刘媛媛方高瞻李伟马骁宇
文献传递
采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构,包括:一衬底,用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,制作在GaAs衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下渐变光陷阱层,制作在N型下限制层上;一上渐变...
王俊白一鸣崇锋熊聪仲莉韩淋王翠鸾冯小明刘媛媛刘素平马骁宇
60%电光效率高功率激光二极管阵列被引量:5
2008年
设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
王俊白一鸣崇锋刘媛媛冯小明王勇刚张广泽刘素平马骁宇
关键词:半导体激光器电光效率大光腔
腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用被引量:2
2013年
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25\mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100\mm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD阈值功率为30W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效。
刘斌刘媛媛
关键词:GAASALGAAS激光二极管列阵
大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究被引量:5
2008年
根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究。依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并进行了特殊的光路系统设计,最终实现了偏振复用,功率效率达到66%;利用偏振合束,晶体功率效率为85%。最后,从各方面比较了两种方法的优缺点。
韩淋刘媛媛王翠鸾冯小明王晓薇刘素平马骁宇
关键词:激光技术双折射晶体
大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管(英文)被引量:4
2002年
设计与制作了大功率 80 8nm Al Ga As/ Ga As宽波导激光二极管 .器件的 Al0 .3 5Ga0 .65As波导厚度提高到0 .9μm,宽波导会引起高阶模的激射 .为了抑制高阶模 ,Al0 .55Ga0 .45As限制层厚度降低到 0 .7μm ,同时确保基横模的辐射损耗在 0 .2 cm- 1 以下 .采用 MOCVD进行材料生长 ,得到了高性能的器件 ,10 0 μm条形激光二极管的最大输出达 10 .2 W.
方高瞻肖建伟马骁宇冯小明王晓薇刘媛媛刘斌谭满清蓝永生
关键词:大功率激光二极管波导MOCVD砷化镓
具有角度调节功能的样品托
一种具有角度调节功能的样品托,包括:一基台,在圆心的直径方向有一条V形固定槽;一角度调节杆,为矩形结构,与角度调节杆纵向垂直的该角度调节杆下面有一条三角凸起,该三角凸起与基台上的V形固定槽配合;一螺旋的拉伸弹簧,其一端位...
刘媛媛杨富华
文献传递
防酸、碱腐蚀的保护罩及其使用方法
一种保护硅片单面图形不受到湿法腐蚀影响的保护罩及其使用方法。保护罩采用顶板和底板将需要图形保护的芯片夹在中间,项板和底板之间通过紧固螺钉来密封连接;顶板、底板和芯片之间分别放置橡胶圈,通过橡胶圈的压缩形变来实现密封;底板...
柳瑞丛刘媛媛
文献传递
大功率半导体激光器光束整形技术
本文从大功率半导体激光器的光束质量出发,介绍了几种半导体激光器的光束整形技术,国际上利用这些技术得到了高亮度的激光输出,不仅仅可以用来泵浦固体激光器和光纤激光器,而且使大功率半导体激光器作为一种激光加工手段,直接应用在工...
刘媛媛方高瞻马骁宇
关键词:半导体激光器光束整形
文献传递
共7页<1234567>
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