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史保华

作品数：17 被引量：6H指数：2
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇会议论文
  • 8篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇可靠性
  • 5篇氧
  • 4篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 2篇电性
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇双极
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇模型参数
  • 2篇晶体管
  • 2篇击穿
  • 2篇半导体
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电荷泵技术
  • 1篇电介质膜
  • 1篇电路可靠性

机构

  • 11篇西安电子科技...
  • 6篇电子科技大学
  • 1篇济南半导体元...

作者

  • 17篇史保华
  • 4篇张德胜
  • 3篇赵策洲
  • 1篇董建荣
  • 1篇黄庆安

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第四届全国固...
  • 1篇1993年全...
  • 1篇第七届全国可...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第五届全国固...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 5篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
栅氧寿命的快速预计
史保华
关键词：集成电路预测技术
内建可靠性
1994年
为进一步提高与保证微电路的可靠性，国外新近提出了内建可靠性问题。本文就内建可靠性提出的背景、意义、主要特征、实施要点，以及如何贯彻推广等问题，并结合几个实例作了综合介绍，供国内有关同志参考。
史保华
关键词：可靠性失效率
栅氧击穿的可靠性模型与模型参数
基于与缺陷有关的等效氧化层减薄模型，对Ｎ－ＭＯＳ电容样品进行了实验，从中提取了有关模型参数，即Ｇ≈２６０ＭＶ／ｃｍ，τ〈，Ｏ〉６＊１０〈’－１６〉秒，并进行了讨论。
史保华
关键词：可靠性模型参数
集成双极晶体管基区表面电势的二维模型及其应用
1993年
基区表面电特性对双极器件影响很大,本文建立了集成双极npn晶体管基区表面电势的二维模型。文中还通过对采用SiO_2膜和Si_3N_4-SiO_2双层膜一次钝化的电容(MOS和MNOS)和栅控npn晶体管的表面电特性的研究,发现SiO_2-Si_3N_4一次钝化膜能有效地减小基区表面电势。
赵策洲张德胜史保华
关键词：双极晶体管钝化膜
CMOS栅氧化膜抗电性的初步研究
史保华
关键词：互补MOS集成电路电介质膜电性
ＩＣ可靠性模拟技术的进展
史保华
关键词：微电子技术集成电路电路可靠性电路设计
离子注入层少子寿命空间分布的测量
1990年
本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.
黄庆安史保华顾英张德胜
关键词：少子寿命
栅氧可靠性的快速评估
2000年
本文基于与缺陷有关的等效氧化层减薄模型 ,对N -MOS电容样品进行了斜坡电压实验 ,从中提取了有关中位值及标准差 ,用来快速评估栅氧质量及其可靠性。
史保华
关键词：集成电路栅氧化层可靠性MOS器件
热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响被引量：4
1994年
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。
赵策洲董建荣张德胜史保华
关键词：载流子注入集成电路MOS
电应力极性对栅氧化层电性能的影响
史保华董建荣
关键词：电性栅极(半导体器件)电应力试验
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