叶超
- 作品数：80 被引量：189H指数：9
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 磁场约束等离子体的实验演示
- 2022年
- 实验采用大气压放电产生等离子体,利用永磁体组合产生的轴向发散磁场来约束等离子体,直观地展现了磁场约束等离子体的实验现象,实验方法简单、便捷,对于提高大学生的等离子体基础知识和创新实验能力具有重要作用。
- 叶超葛水兵王海学张书琪韩王胤孙江东
- 关键词：等离子体磁约束大气压介质阻挡放电
- 微波电子回旋共振-化学气相沉积SiN_x薄膜的光学性能研究被引量：7
- 1997年
- 研究了微波电子回旋共振－化学气相沉积ＳｉＮｘ薄膜的光学性能，这种ＳｉＮｘ薄膜具有透光谱宽、透光率高的特点，总结了透光谱、折射率、光隙能随微波功率。
- 叶超宁兆元项苏留沈明荣汪浩汪浩
- 关键词：氮化硅光学性能化学气相沉积
- 关于实验技术人员的作用与培养的再思考被引量：20
- 2005年
- 本文探讨了在高等学校跨越式发展形势下,实验技术人员队伍面临的问题及作用的转变,提出加强实验技术人员队伍的培养、提高实验技术人员队伍的素质及稳定性的思路.
- 夏永林叶超
- CHF_3/DMCPS比对F掺杂SiCOH薄膜结构及性能的影响(英文)
- 2009年
- 研究了用十甲基环五硅氧烷和三氟甲烷电子回旋共振等离子体沉积的掺F SiCOH低k薄膜中,CHF3/DMCPS比对薄膜结构、成分、介电性能、热稳定性和憎水性的影响.结果表明,随着CHF3/DMCPS比的增大,沉积的薄膜从SiCOH向F-SiCOH和a-C:F:H转变.对于F-SiCOH薄膜,在获得较低介电常数的前提下。
- 邢振宇叶超
- 关键词：ECR等离子体
- 一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于以DMCPS环有机硅烷为前驱体，以含有弱极化元素或基团的CH<Sub>4</Sub>、CHF<Sub>3</Sub>中的至少一种作为掺杂源，采用电子回...
- 叶超廖良生袁大星王响英
- 文献传递
- Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制被引量：5
- 2006年
- 研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
- 叶超宁兆元辛煜王婷婷俞笑竹
- 关键词：介电性能
- 一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法，利用双靶磁控溅射装置制备，包括以下步骤：(1)安装制备双组元薄膜所需的靶材，并将清洁后的基片置入真空室中；溅射靶中心至基片台中心的距离为130mm；(2)将真...
- 叶超王响英张苏
- PTC陶瓷阻抗特性的研究(Ⅰ)
- 1993年
- 本文研究了PTC陶瓷的复阻抗特性。对于复阻抗图的双圆弧现象,认为是材料结构的不均匀性所致,用改进的等效电路模型进行了分析。
- 叶超
- 关键词：PTC陶瓷不均匀性
- 纳电子器件中的超低介电常数材料与多孔SiCOH薄膜研究被引量：1
- 2006年
- 65nm以下线宽的纳电子器件,要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质,等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜,提供了实现k<2的可能性,多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料,但是,纳米孔的引入带来了材料其他性能恶化、集成工艺困难、薄膜微结构分析等许多新问题.文章介绍了多孔SiCOH(超)低k薄膜研究的主要进展及面临的挑战.
- 叶超宁兆元
- CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析被引量：1
- 2009年
- 研究了真空热处理对掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜的电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.
- 杜杰叶超俞笑竹张海燕宁兆元
