夏春萍
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碳纳米管交流输运特性研究
- 2013年
- 提出了一种新型的研究半导体低维系统的含时输运特性的数值模拟方法。基于紧束缚模型,直接在时域采用迭代法计算含时的非平衡格林函数(NEGF),求解出交流信号作用下的响应电流。将该方法应用于低维碳纳米管系统的交流输运性质的研究,并对载流子含时输运的物理机制进行了阐述。结果表明:在外加电压作用的瞬间,电流值突然变得很大,类似于传统CMOS器件的过冲效应。当输入电压为单个方波,随着时间的推移,电流呈现出平滑的逐步振荡衰减,最终趋于稳态。当输入电压为连续方波,响应电流的振荡幅度和频率随电压幅度的增加而增加。仿真结果有助于对低维材料电学特性的评估,并且为将来工作在交流信号下的低维纳米电子器件的设计和制作提供初步的理论依据。
- 肖广然夏春萍李浩陈将伟杨恒新王伟
- 关键词：碳纳米管非平衡格林函数低维系统
- 碳纳米管场效应管电子输运特性的研究
- 本文在全量子力学模型框架下，采用非平衡格林函数方法研究了碳纳米管场效应管的电子输运特性，其目的在于为基于碳纳米管场效应管的纳米电子器件的设计和优化提供理论依据。 首先，基于非平衡格林函数的理论，通过量子建模，推导出碳纳...
- 夏春萍
- 关键词：碳纳米管场效应管电子输运特性电学特性
- 文献传递
- 准一维碳纳米管的含时输运性质的研究(英文)
- 2013年
- 提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电流的最初上升值越大,弛豫时间越短;当输入电压为低频正弦信号,响应电流曲线变得不规则。本仿真结果有利于对纳米材料电学性质的评估,为纳米电子器件的设计和优化提供理论指导。
- 夏春萍肖广然李浩王伟
- 关键词：非平衡格林函数
- 晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管
- 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32）...
- 王伟肖广然夏春萍
- 文献传递
- 一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管
- 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳...
- 王伟夏春萍肖广然
- 文献传递
- 一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管
- 本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用石墨烯纳米条带材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧...
- 王伟夏春萍肖广然杨晓
- 文献传递
- 晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管
- 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32）...
- 王伟肖广然夏春萍
- 文献传递
- 异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究被引量：1
- 2013年
- 采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性。该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET的电学特性。研究结果表明,与单栅结构相比,异质栅器件结构具有更低的泄漏电流、更高的电流开关比,并且,在15nm技术节点以上,异质栅CNTFET器件能够较好地满足ITRS10的相关性能指标要求。
- 王伟任雨舟陈将伟夏春萍李浩郑丽芬李金杨恒新李锐
- 关键词：非平衡格林函数异质栅
- 带有欠栅的三种材料异质栅碳纳米管场效应管
- 本发明公开了一种带有欠栅的三种材料异质栅碳纳米管场效应管，该场效应管整体为圆柱形，从圆心向外依次为碳纳米管（1）、包围碳纳米管（1）外部的绝缘层（2）、位于绝缘层（2）外的环栅（3），绝缘层（2）为环状，长度与碳纳米管（...
- 王伟肖广然夏春萍
- 文献传递
- 一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管
- 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳...
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- 文献传递
