姜韬
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- Ga和Cu／In衬底上电沉积金属Ga被引量：2
- 2012年
- 在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究.用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响.系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与CuIn合金反应生成CuGa2合金.针对Cu/In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点,在溶液中加入三乙醇胺有效地保护了Cu/In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化,并且提高了Ga沉积的电流效率.在Cu/In薄膜上制备出了均匀光亮的金属Ga薄膜.对电沉积出Cu-In-Ga预置层进行了硒化处理,得到了质量较好的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜,并制备了太阳电池.电池效率达到了9.42%.
- 张超敖建平王利姜韬孙国忠何青周志强孙云
- 关键词：电化学沉积循环伏安法太阳电池
- 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法
- 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法，涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系，由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成，各组分在溶液体系的含量为：金属盐0.1～0.5mol/L、导电盐...
- 敖建平张超孙顶王利姜韬孙国忠周志强何青
- 文献传递
- 等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响被引量：2
- 2013年
- 使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%.
- 张超敖建平姜韬孙国忠周志强孙云
- 关键词：电沉积
- 电沉积ZnO 薄膜的研究
- 采用阴极电沉积的方法,在2 ZnCl 的水溶液中,以KCl 为导电盐,金属Zn 片为阳极,分别以ITO/玻璃、玻璃/Mo/CIGS/CdS、玻璃/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO 为阴极制备了ZnO薄膜,对沉积过程及薄...
- 付锐敖建平张超姜韬孙国忠何青周志强孙云
- 关键词：ELECTRODEPOSITIONZNOXRD
- 等离子体硒化分步电沉积CIG薄膜及太阳电池制备的研究
- Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜作为一种直接带隙半导体材料，具有吸收性好、转换效率高、抗衰退性能稳定等突出优点。采用电沉积技术制备薄膜，生产成本低，原材料利用率高，更适合大规模工业化生产，拥有广阔的发展前景。 ...
- 姜韬
- 关键词：CIGS薄膜丝网印刷太阳电池
- 文献传递
