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孙华军

作品数:61 被引量:4H指数:1
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 55篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇电路
  • 15篇微电子
  • 14篇电子器件
  • 14篇微电子器件
  • 11篇电极
  • 10篇突触
  • 10篇非易失性
  • 9篇功能材料
  • 9篇存储器
  • 7篇导电丝
  • 7篇SUB
  • 6篇神经突触
  • 6篇神经网
  • 6篇神经网络
  • 5篇电压
  • 5篇氧化物
  • 5篇网络
  • 5篇脉冲
  • 5篇HFO
  • 4篇电阻

机构

  • 57篇华中科技大学
  • 5篇中国科学院上...

作者

  • 61篇孙华军
  • 54篇缪向水
  • 16篇李祎
  • 13篇徐小华
  • 10篇王青
  • 9篇张金箭
  • 9篇许磊
  • 7篇王涛
  • 4篇侯立松
  • 4篇沙鹏
  • 4篇程晓敏
  • 4篇陆家豪
  • 3篇吴谊群
  • 3篇王标
  • 3篇周亚雄
  • 3篇李袆
  • 2篇李莉
  • 2篇魏劲松
  • 2篇梅健
  • 2篇李人杰

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 11篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)被引量:1
2010年
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。
孙华军侯立松缪向水吴谊群
关键词:GE2SB2TE5薄膜沉积温度
一种单通道忆阻器及其制备方法
本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种单通道忆阻器及其制备方法,该单通道忆阻器包括由第一功能层(1)和第二功能层(2)堆叠形成的功能层;其中,第一功能层所采用的第一忆阻材料,与第二功能层所采用的第二忆阻材料之间,存在晶...
孙华军王涛白娜缪向水
一种基于HfO<Sub>2</Sub>/ZrO<Sub>2</Sub>或HfO<Sub>2</Sub>/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>超晶格铁电忆阻器及其制备
本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种超晶格铁电忆阻器,包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层,其中,所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层,每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上...
孙华军白娜王文琳缪向水
文献传递
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本实用新型公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路,包括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻;第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端,第二相变存储器的第一端作为与门电路的第二输入端;第一...
缪向水李袆钟应鹏许磊孙华军程晓敏
文献传递
一种基于RRAM的非易失FPGA编程点电路及其操作方法
本发明公开了一种基于RRAM的新型非易失FPGA编程点电路,该编程点电路采用一种由两个RRAM元件同向串联组成的新颖结构,通过本发明,充分利用RRAM自身所具备的存储与计算结合的能力来实现配置、非易失以及掉电迅速恢复的功...
孙华军陆家豪缪向水
文献传递
基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型
本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型,其方法包括:获取包含多张图像的数据集,每张图像包含M个特征,每个特征的特征值为0或1;统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量N<Sub>i</S...
孙华军李莉黄琛洋缪向水
文献传递
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其操作方法,该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性,将忆阻器的工作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式,通过改...
孙华军宋夷斌陆家豪缪向水
文献传递
激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化被引量:1
2008年
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(10^7~10^3Ω/□)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有:n(非晶态)〉n(中间态)〉n(晶态),k(晶态)〉k(中间态)〉k(非晶态),α(晶态)〉α(中间态)〉α(非晶态),结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
孙华军侯立松吴谊群魏劲松
关键词:GE2SB2TE5薄膜激光辐照光学常数相转变
一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用
本发明公开了一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用,忆阻器包括上电极、功能层和下电极,为MIM的crossbar结构;通过调控氩气和氧气的比例,制得具有不同厚度和氧空位的功能层材料;在调制中采用电压扫描或脉冲...
孙华军何维凡钟姝婧缪向水
文献传递
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其操作方法,该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性,将忆阻器的工作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式,通过改...
孙华军宋夷斌陆家豪缪向水
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