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孙海波

作品数：38 被引量：58H指数：5
供职机构：山东交通学院理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇生物学

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇溅射
  • 7篇GA
  • 5篇掺杂
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇气敏
  • 4篇纳米线
  • 4篇半导体
  • 4篇TIO
  • 3篇单晶
  • 3篇氧化锌
  • 3篇三甲胺
  • 3篇太阳光
  • 3篇太阳光谱
  • 3篇气敏元件
  • 3篇甲胺
  • 3篇光谱
  • 3篇SI
  • 3篇SIO

机构

  • 28篇山东师范大学
  • 15篇山东交通学院
  • 1篇南开大学
  • 1篇济南大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 38篇孙海波
  • 14篇裴素华
  • 11篇薛成山
  • 7篇曹玉萍
  • 7篇修显武
  • 7篇石锋
  • 6篇王强
  • 5篇孙振翠
  • 5篇郭永福
  • 5篇石礼伟
  • 5篇刘文军
  • 4篇庞来学
  • 4篇唐新德
  • 4篇李玉国
  • 4篇于连英
  • 4篇王晓英
  • 3篇张晓华
  • 3篇黄萍
  • 3篇庄惠照
  • 3篇陈建中

传媒

  • 7篇微纳电子技术
  • 4篇稀有金属材料...
  • 3篇功能材料
  • 3篇科学技术与工...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇大学物理
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科技通讯（上...
  • 1篇文教资料
  • 1篇山东交通学院...
  • 1篇第三届大学物...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 6篇2005
  • 6篇2004
  • 6篇2003
  • 2篇2002
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Si基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜
2007年
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓S i基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和荧光光谱(PL)对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。
孙振翠原所佳孙海波
关键词：GAN薄膜射频磁控溅射
Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析被引量：2
2005年
为进一步揭示Ga在SiO_2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性。上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态。对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品。
裴素华修显武孙海波黄萍于连英
关键词：GA
一种石墨相氮化碳改性乳化沥青及其光催化应用
本发明公开了一种石墨相氮化碳改性乳化沥青，该改性乳化沥青的组分含量以重量份计为：乳化沥青100份、石墨相氮化碳5～10份水性聚合物2～6份；是以石墨相氮化碳分散在水性聚合物中，然后与乳化沥青在高速剪切机中混匀制得。本发明...
庞来学孙海波唐新德冯正义王晓英胡秀颍陈建中
文献传递
P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
2003年
采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。
裴素华修显武孙海波周忠平张晓华
关键词：GA钙掺杂半导体器件
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究被引量：1
2004年
采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波
Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒被引量：2
2010年
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。
孙海波石锋曹玉萍郭永福刘文军薛成山
关键词：氧化锌磁控溅射光学特性
扩Ga基区高反压晶体三极管V—1特性分析
2002年
从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。
修显武孙海波裴素华杨利周忠平郭兴龙
关键词：镓负阻效应击穿电压电流放大系数
基于调控服役环境的功能胶凝新材料技术及其应用
庞来学唐新德梁训美孙海波史红陆诗德王晓英乔永军胡秀颖谭旭翔刘秀娥
该项目属土木工程领域的建筑材料科学技术范畴。 胶凝材料的服役环境影响着公共设施的安全与环境生态。路面凝冰会使道路的抗滑性能大幅度降低，影响车辆的操作稳定性和行驶安全，严重影响道路交通安全和运输效率，还会直接或间接造成路面...
关键词：
关键词：胶凝材料建筑材料
磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性被引量：6
2004年
　采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅。样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高。
李玉国王强石礼伟孙海波薛成山庄惠照
关键词：SIC磁控溅射电化学腐蚀
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响被引量：3
2004年
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10％左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
裴素华孙海波王强孙振翠石礼伟
关键词：TIO2
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