孟秋英
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：理学核科学技术更多>>
- PCA光子鉴别方法
- 本发明公开了一种用于RHIC相对论重离子碰撞实验中的PCA光子鉴别方法，采用新的数学模型对RHIC对撞机上相对论重离子碰撞实验中产生的光子的模拟数据和实验数据进行鉴别分析，提高光子的鉴别率。具体鉴别方法是引进一种新兴的运...
- 李笑梅周静胡守扬孟秋英叶力白新占闫玉良周书华萨本豪
- 文献传递
- 天然Pt和Al对比材料中^7Be衰变率差别的测量
- 2008年
- 将HI-13北京串列加速器次级束流线产生的放射性核素7Be分别注入到天然Pt和Al中,利用两个高纯锗探测器同时测量7Be经由7Li第一激发态衰变后跃迁到基态产生的478keVγ射线产额随时间的变化,结果在实验误差范围内(<0.14%)没有发现7Be衰变率在Pt与Al中有明显差别,讨论了这两种材料的电子亲和势及有效电子密度与EC衰变率的关系。
- 李成波文群刚孟秋英刘志毅周书华李笑梅周静傅元勇胡守扬周峰李守平
- 关键词：电子俘获衰变率
- 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试被引量：3
- 2006年
- 为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110—120pF。由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验。开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标。
- 李成波袁坚孟秋英周书华张录张太平宁宝俊田大宇
- 关键词：PIN结电容漏电流量子效率
- 氢硼聚变三体级联衰变连续能谱的Monte-Carlo模拟与分析
- 2002年
- 11 B(p ,α1 ) 8Be (1 ) ( 2α)三体级联衰变中居间核8Be(1 ) 衰变成两个α粒子的连续能谱呈马鞍形分布 .编写了模拟三体级联衰变连续能谱的Monte Carlo程序 ,计算结果表明 :沿居间核8Be(1 ) 运动方向α发射强度增强的各向异性分布 ,能较好地解释实验结果 ,揭示p + 1 1 B核反应中8Be(1 ) 核α衰变各向异性发射 .
- 李成波袁坚林尔康张培华孟秋英
- 关键词：MONTE-CARLO模拟热核反应
- 自旋相关的Λ超子与核子间张量相互作用的首次观测
- 2005年
- 超核γ谱学国际合作组在用超球γ谱仪(Hyperball)进行的1Λ6O的γ射线谱学测量中,观察到由1Λ6O的6.6MeV12-激发态跃迁到基态自旋翻转二重态(11-和0-)之间的两条γ射线.由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4±1.6(统计误差)±0.5(系统误差)keV,并由此推导出ΛN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了Λ16O的12-激发态的激发能为6561.7±1.1(统计误差)±1.7(系统误差)keV.
- 周书华周静孟秋英
- 关键词：超核Γ谱学自旋相关核子超子
- p-^(11)B 三体级联衰变连续能谱测量与干净聚变核能源被引量：1
- 1998年
- 借助ＰＩＰＳ新型探测器和ΔＥ穿透型探测器，首次得到１１Ｂ（ｐ，２α）４Ｈｅ级联衰变连续能谱，为准确获得ｐ－１１Ｂ截面测量提供了实验依据。同时利用系统能量分辨率达１３．９ｋｅＶ的带电粒子谱仪对另一影响截面精确度的因素——靶成份进行了实验分析。
- 袁坚刘晓东许国基宋鸿陟孟秋英孙祖训林尔康王建万余岳仲刘东元
- ^7Be在Au中衰变率的精确测量
- 2007年
- 对在通常实验室环境下注入到Au中的7Be发生电子俘获的半衰期进行测量。共测量4.8个半衰期,测得T1/2=(53.245±0.003)d。此测量结果可作为研究7Be衰变率随环境不同而发生变化时的参照值。
- 孟秋英李成波傅元勇刘志毅文群刚周静周书华
- 关键词：半衰期Γ谱
- 阻抗板探测器工作电压和时间分辨率的测量及分析
- 2009年
- 在不同工作电压下对阻抗板探测器(resistive plate chamber,RPC)的信号进行了测试,并根据信号幅度的大小和形状判断出产生雪崩信号和流光信号的电压区域。研究了气体成分和工作电压对RPC时间分辨率的影响。时间分辨率随电压的增加先下降后上升,时间分辨率有最低点,随SF6气体比例的增加,时间分辨率最低点的电压向前移动了200 V。当电压为10.2 kV、φ(SF6)=1.3%时,时间分辨率有最理想值。
- 李笑梅周峰胡守扬文群刚李成波傅元勇周静孟秋英叶力
- 关键词：时间分辨率
- 在Be和Au中^7Be半衰期差别的测量
- 2005年
- 用两套γ谱仪精确测量了注入到天然铍和天然金中的7Be发生电子俘获的半衰期。实验测得,天然铍中7Be的半衰期为53.275(25)d,在天然金中为53.270(19)d。在0.12%的实验测量精度下,未观测到7Be半衰期在这两种材料中的差异。结果表明:注入在不同材料中7Be半衰期的变化不能仅从被注入材料的电子亲合势的差异考虑,还要考虑材料晶格结构的影响。
- 李成波刘志毅王思广周静孟秋英周书华
- 关键词：电子俘获半衰期电子亲合势晶格结构
- ^7Be半衰期的精确测量被引量：1
- 2003年
- 用两套γ谱仪精确测量了注入到天然铍和天然金中的7Be发生电子俘获的半衰期.测得7Be在天然铍中半衰期为53.275(25)d,在天然Au中为53.270(19)d.该结果还表明,在这两种材料中7Be半衰期的相对变化小于0.12%.
- 刘志毅李成波王思广周静孟秋英卢绍军周书华容超凡袁大庆
- 关键词：半衰期电子俘获衰变率电子亲合势
