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张凤祁
作品数:
23
被引量:2
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
郭辉
西安电子科技大学
张克基
西安电子科技大学
雷天民
西安电子科技大学
邓鹏飞
西安电子科技大学
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机构
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西安电子科技...
作者
23篇
张凤祁
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雷天民
20篇
张克基
20篇
郭辉
20篇
张玉明
12篇
邓鹏飞
8篇
赵艳黎
2篇
吴宪祥
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郭红霞
2篇
王辉
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2篇
张玲霞
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年份
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2019
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2018
2篇
2014
5篇
2013
14篇
2012
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向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性差,且制作器件时易造成电子迁移率降低的问题。其实现步骤是:首先,在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
赵艳黎
雷天民
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基于Cu膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术制备的石墨烯续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是:(1)在Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡;(2)在温度为1...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
邓鹏飞
雷天民
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基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法
本发明提供一种基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法,主要解决现有技术无法直接表征损伤机制并精确定位敏感区域的问题。其实现方案是:选择锗硅异质结晶体管样品,测试其电学性能;制作并检验用于辐照的印刷电路PC...
张晋新
郭红霞
张凤祁
王辉
张玲霞
吴宪祥
冯娟
贺王鹏
安陆
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑,层数不均匀,制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯中电子迁移率降低的问题。其实现过程是:先对Si...
郭辉
邓鹏飞
张玉明
张克基
雷天民
张凤祁
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基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是:先对SiC样片进行标准清洗;再在SiC样片表面淀积一层SiO<Sub>...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
雷天民
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好,且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为:(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
赵艳黎
雷天民
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基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是:先对SiC样片进行标准清洗;再在清洗后...
郭辉
邓鹏飞
张玉明
张克基
雷天民
张凤祁
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好,且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为:(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉
张克基
张玉明
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赵艳黎
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯层数不均匀,且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现过程是:(1)在4-12英寸的Si衬底基...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
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基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀,制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现步骤是:(1)对SiC样片进行...
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张克基
张玉明
张凤祁
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