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张大为

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:辽宁省科学技术基金国家自然科学基金辽宁省教育厅科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 4篇压力传感器
  • 4篇有限元
  • 4篇力传感器
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇压阻
  • 2篇应力
  • 2篇应力分布
  • 2篇有限元分析
  • 1篇钝化
  • 1篇压阻式
  • 1篇压阻式压力传...
  • 1篇压阻特性
  • 1篇压阻效应
  • 1篇隧道

机构

  • 4篇沈阳工业大学
  • 1篇沈阳化工学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇张大为
  • 3篇揣荣岩
  • 2篇孙显龙
  • 2篇李新
  • 2篇刘斌
  • 1篇王健
  • 1篇刘伟
  • 1篇何晓宇
  • 1篇王健

传媒

  • 2篇仪表技术与传...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 4篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析
多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究.基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO2和Si3N4钝化层结构...
揣荣岩张大为孙显龙刘斌李新
关键词:压阻特性应力分布压力传感器有限元分析
文献传递
复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析
2009年
多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。
揣荣岩张大为孙显龙刘斌李新
关键词:钝化应力分布有限元压力传感器
多晶硅纳米薄膜压力传感器工艺研究
多晶硅纳米薄膜(PSNF)因其良好的压阻特性,有着广阔的应用前景,本文为PSNF在压阻式压力传感器上得到更好的应用,试制了PSNF压力传感芯片。研究的重点是PSNF压力传感芯片的工艺设计与仿真,并提取最佳工艺条件。 运用...
张大为
关键词:有限元分析
文献传递
多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器被引量:4
2009年
多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法。根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化。依据优化设计结果试制了压力传感器芯片。实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高。
王健王健揣荣岩何晓宇刘伟
关键词:压力传感器有限元
共1页<1>
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