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张扬

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇衬底
  • 7篇发光
  • 6篇多量子阱
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体质量
  • 5篇硅膜
  • 5篇二氧化硅膜
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇氮化镓
  • 4篇化物
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 3篇图形衬底
  • 3篇GAN基LE...
  • 2篇电导
  • 2篇电极
  • 2篇氧化物
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇张扬
  • 12篇李晋闽
  • 11篇王国宏
  • 8篇曾一平
  • 8篇闫发旺
  • 7篇张会肖
  • 7篇王军喜
  • 6篇高海永
  • 4篇伊晓燕
  • 4篇李璟
  • 4篇刘志强
  • 4篇杨华
  • 4篇谢海忠
  • 3篇杨富华
  • 2篇樊中朝
  • 2篇刘剑
  • 2篇高永海
  • 2篇韩伟华
  • 1篇戴扬
  • 1篇杜睿

传媒

  • 1篇第十届全国M...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将...
张扬闫发旺高海永曾一平王国宏张会肖李晋闽
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法
一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；...
韩伟华张扬刘剑杨富华
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氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅...
谢海忠张扬杨华李璟刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N...
谢海忠张扬杨华李璟刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的...
闫发旺高海永樊中朝李晋闽曾一平王国宏张会肖王军喜张扬
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管
一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；...
韩伟华张扬刘剑杨富华
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；光刻出光刻胶图形阵列；以光刻胶图形阵列作掩膜，刻蚀出具有图形结构的二氧化硅膜；以具有图形结构的二氧化硅膜作为掩膜，刻蚀蓝宝石衬底...
闫发旺高永海张扬李晋闽曾一平王国宏张会肖
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氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅...
谢海忠张扬杨华李璟刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H<Sub>2</Sub>O混合液，将光刻图...
闫发旺高海永张扬李晋闽曾一平王国宏张会肖
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干法刻蚀图形蓝宝石衬底提高GaN外延层的晶体质量
利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的蓝宝石衬底的表面更加平坦(RMS从0.170nm...
高海永闫发旺张扬王军喜曾一平李晋闽
关键词：半导体材料GAN外延层晶体质量蓝宝石衬底
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共2页<12>
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