张春玲
- 作品数：62 被引量：202H指数：7
- 供职机构：南开大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信医药卫生更多>>
- 水溶性硫硒化镉量子点纳米颗粒对小鼠皮肤渗透性的影响被引量：1
- 2014年
- 【目的】研究水溶性硫硒化镉(CdSeS)量子点纳米颗粒对小鼠皮肤渗透性的影响。【方法】在雄性ICR鼠背部脱毛部位涂抹直径约为5 nm,发光波长为620 nm的量子点0.32 nmol,利用荧光显微镜和透射电镜对施药皮肤部位显微观察皮肤渗透性。【结果】荧光显微像显示量子点能够堆积在皮肤的表皮层中和真皮层的毛囊和腺体中,透射电镜显示量子点附着在皮肤表面和吸附在角质细胞的两侧。【结论】量子点纳米颗粒对小鼠皮肤具有一定渗透性,而且随着施加量子点溶液时间加长,渗透量略有增加,但是主要聚集在皮肤表面和角质层细胞的两侧。
- 唐蕾宋光明曹瑾张春玲
- 关键词：量子点透皮吸收荧光显微镜透射电镜
- 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
- 2007年
- 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。
- 贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国
- 关键词：光致发光谱量子点
- 第15届亚洲物理奥林匹克竞赛实验试题简介被引量：4
- 2014年
- 第15届亚洲物理奥林匹克竞赛的试题为"液体中的超声速度".本文全面地介绍了试题内容并且详细给出了解答.
- 张春玲刘丽飒宋峰张天浩
- 关键词：超声波声光效应衍射光栅驻波
- 一种基于亚波长波导的窄带太赫兹波产生及检测的方法
- 本发明公开了一种基于亚波长波导的窄带太赫兹波发生器及检测的方法，其目的在于解决现有技术利用共线相位匹配高效激发太赫兹波存在的难题。采用的方案是：将亚波长波导铁电材料作为太赫兹波辐射源，让激光器产生的飞秒激光脉冲聚焦于亚波...
- 吴强杨慧梅卢瑶潘崇佩齐继伟张春玲姚江宏许京军
- 文献传递
- 公共健康危机与发展中国家的知识产权战略
- 随着艾滋病、非典、禽流感的不断扩展和蔓延，公共健康危机问题日益严重，TRIPS协议对医药专利的保护更加剧了这一危机。从TRIPS协议到《多哈宣言》到2003总理事会决议，到2005年总理事会对TRIPS协议的修改以及WT...
- 张春玲
- 关键词：公共健康危机知识产权战略
- 文献传递
- 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
- 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
- 王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
- 文献传递
- EDA和传感器技术在空气比热容比测定装置中的运用被引量：9
- 2009年
- 将EDA和传感器技术运用到基于克列曼和迭索尔姆方法的空气的比热容比测定装置中,可以简化操作过程,提高实验精度,降低误差.同时,针对实验过程中得到的大量数据,对数据处理方法和过程提出了更高要求.
- 王槿钱钧张春玲耿丹单建丰张肇文
- 关键词：空气比热容比EDA传感器
- 渗透现象实验设计与研究
- 2009年
- 设计了一套渗透现象的定量观测实验装置用于大学基础物理实验教学.通过实验得到了渗透流量和渗透膜两侧溶液浓度差的线性关系,验证了渗透流量经验公式.此外,从物理学宏观和微观的角度给出了渗透现象的定性解释,并从基本的动力学理论出发引入了范托夫定律的理论推导.
- 钱钧贾玉莹王槿张春玲
- 半导体量子点及其应用(Ⅰ)被引量：49
- 2004年
- 量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景 ,受到人们广泛重视 .文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分 :第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质 ;第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用 .
- 赵凤瑷张春玲王占国
- 关键词：半导体量子点
- 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
- 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
- 王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
- 文献传递
