张维广
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。Mg-K共掺的ZnO基发光二极管包括Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶衬底，在所述Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
- 叶志镇张利强蒋杰黄靖云张银珠张维广张俊朱丽萍
- 文献传递
- Mn-Na共掺ZnO非极性薄膜的结构及其光电磁性能研究被引量：1
- 2012年
- 非极性方向生长的ZnO基多量子阱消除了量子限域Stark效应,可以提高光电器件的发光效率.据此我们采用脉冲激光沉积方法在r面蓝宝石衬底上生长了高质量的α面(11(?)0)单一取向非极性Zn(Mn,Na)O薄膜.X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、Hall测试、X射线光电子能谱等测试结果表明:衬底温度和生长气压对Zn(Mn,Na)O薄膜的非极性生长影响很大,在600℃和0.02 Pa条件下实现了Mn-Na共掺,得到了高结晶质量并具有良好光电性能的非极性Zn(Mn,Na)O薄膜.此外,我们还利用超导量子干涉仪研究了Zn(Mn,Na)O薄膜的生长取向对其室温铁磁性能的影响规律,并对引起磁性变化的机理进行了讨论.
- 叶颖惠吕斌张维广黄宏文叶志镇
- 关键词：室温铁磁性
- ZnCoO薄膜的生长取向及其性能被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积法在石英和玻璃衬底上制备了ZnCoO以及Zn(Co,Ga)O薄膜,分别研究了其结构形貌和电学、光学及磁学等性能。研究发现,Ga掺杂后ZnCoO薄膜的择优取向由(002)向(101)转变,并且在玻璃衬底的Zn(Co,Ga)O薄膜具有更为单一的(101)取向,我们分析认为,Ga的掺入是引起生长取向转变的重要因素。此外,相比于ZnCoO,Zn(Co,Ga)O薄膜的电学性能明显提高,光学带隙蓝移,同时具有较好的室温铁磁性。
- 张维广吕斌张利强叶颖惠叶志镇
- 关键词：光学性能磁学性能
- 过渡金属掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究
- 氧化锌(ZnO)作为一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,通过掺杂过渡金属元素能够实现其室温铁磁性,并且能够在一定程度上改变ZnO薄膜的生长取向,这对非极性ZnO薄膜的制备具有一定的借鉴意义。ZnO基稀磁半导体在自旋电子学、光电...
- 张维广
- 关键词：过渡金属元素室温铁磁性脉冲激光沉积ZNO薄膜
