彭昭廉
- 作品数：32 被引量：88H指数：6
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 预充电荷对RSD开通特性的影响被引量：12
- 2003年
- RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法。
- 杜如峰余岳辉胡乾彭昭廉
- 关键词：半导体器件预充电荷开通特性
- 薄发射区晶闸管结构及特性的研究被引量：2
- 1993年
- 在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.
- 余岳辉徐静平陈涛彭昭廉
- 关键词：晶闸管通态特性
- 大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性
- 新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构、开通机制、特性及测试实验结果。设计电流10KA、50KA,开通时间数十纳秒、断态重复峰值电压20KV的RSD堆已在实验室制出并在湖北襄樊仪...
- 余岳辉李焕炀彭昭廉杜如峰颜家圣
- 关键词：大功率脉冲开通RSD
- 文献传递
- 聚酰亚胺与硅片粘附牢度的研究
- 1990年
- 本文针对聚酰亚胺与硅片粘附性问题进行了实验和考察。提出了一种新的提高其粘附牢度的方法,此方法就是通过使用简单方便的液相钝化方法,先在硅片表面上生长一层薄膜,再在生长的薄膜上用聚酰亚胺进行保护。
- 彭昭廉黄秋芝
- 关键词：聚酰亚胺硅片
- 多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究
- 1995年
- 提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。
- 徐静平余岳辉彭昭廉陈涛
- 关键词：欧姆接触电极多晶硅晶闸管
- 晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究被引量：15
- 2001年
- 系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 。
- 李皎明余岳辉白铁城彭昭廉
- 关键词：晶闸管热模型
- 半绝缘多晶硅钝化膜的分析
- 半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作为半导体器件的表面钝化膜质量好,性能优.本文对LPCVD法制备的SIPOS膜进行了分析.结果表明,掺氧SIPOS膜的电性能主要与膜中含氧量无关,与膜的其他参数无关.而膜的含氧量只与反应气体S...
- 彭昭廉李林
- 关键词：半绝缘多晶硅表面钝化半导体器件钝化膜低压化学气相淀积
- 文献传递
- SiC功率器件的特性及开发现状
- 本文介绍了SiC材料的主要物理参数,讨论了这些主要物理参数与器件特性的关系.
- 余岳辉李皎明彭昭廉
- 关键词：碳化硅硅功率器件变换器
- 文献传递
- 新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析被引量：2
- 1995年
- 本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。
- 徐静平余岳辉彭昭廉陈涛
- 关键词：关断时间通态压降存储电荷
- 过压自保护晶闸管二维电场分析
- 1993年
- 应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P^-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p^+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.
- 陈涛余岳辉彭昭廉徐静平
- 关键词：光控晶闸管电场
