恽廷华
- 作品数：9 被引量：25H指数：3
- 供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器被引量：3
- 2005年
- 基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处IIP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.
- 恽廷华唐守龙罗岚
- 关键词：模拟乘法器可变增益放大器
- 一种新型的压控振荡器用自动幅度控制电路被引量：3
- 2006年
- 提出了一种新的压控振荡器用自动幅度控制电路:电荷泵式自动幅度控制电路.该电路的固有特性决定了它具有比模拟稳幅电路更好的相位噪声性能.文章基于S域小信号模型分析了该电路的稳定性,并且通过仿真比较了电荷泵式AAC和模拟AAC的相位噪声性能.
- 孙文罗岚吴烜恽廷华
- 关键词：电荷泵相位噪声
- 高频全差分VGA增益控制特性的自动测试
- 本文介绍了一种高频全差分VGA增益特性的自动测试方法。针对输入输出全差分电路的特性,文章首先分析了通过balun构建的测试系统的增益补偿系数,利用GPIB总线和计算机并口,实现了电路的自动测试。最后使用本方法在50分钟内...
- 黄成恽廷华
- 关键词：VGAGPIB总线自动测量
- 文献传递
- 具有温度补偿及dB线性增益控制的单级宽范围CMOS可变增益放大器(英文)被引量：1
- 2007年
- 提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误差小于±1.5dB.基于0.25μmCMOS工艺验证表明,放大器可提供64.5dB的增益变化范围,其中dB线性范围为55.6dB.输入1dB压缩点为-17.5到11.5dBm,3dB带宽为65MHz到860MHz,2.5V电源供电下功耗为16.5mW.
- 恽廷华尹莉吴建辉时龙兴
- 关键词：DB线性温度补偿可变增益放大器自动增益控制
- 宽范围高线性CMOS可变增益放大器的研究与实现
- 作为射频收发机中的关键模块，可变增益放大器(Variable-Gain Amplitier，VGA)的增益调节范围直接决定了收发机可以处理的信号动态范围，它与反馈环路组成的自动增益控制电路(Automatic Gain ...
- 恽廷华
- 关键词：CMOS工艺模拟集成电路射频集成电路可变增益放大器数字电视调谐器
- 文献传递
- 一种高线性宽带CMOS全差分放大器
- 2007年
- 设计了一种高线性度的宽带CMOS全差分放大器,输入级采用带有电阻共模负反馈的差分电路,输出级则由推挽跨导运算放大器及其反馈环路组成.采用输入级源退化电阻及输出级负反馈技术,使得差分输出峰峰值为1V时三阶谐波失真达到-60dB.同时利用反馈环路中反馈电容的欠阻尼滞后补偿作用,使放大器的带宽增大了15%.测试结果表明,在0.25μmCMOS工艺下,该放大器-3dB带宽达到150MHz,噪声系数小于14dB.
- 尹莉恽廷华唐守龙吴建辉
- 关键词：全差分放大器跨导运算放大器负反馈
- 采用最大电流选择的恒定跨导Rail-to-RailCMOS运放输入级被引量：7
- 2006年
- 基于TSMC0.18-μmCMOS工艺设计了一种具有恒定跨导的1.8Vrail-to-railCMOS运算放大器的输入级。采用两路结构相同的最大电流选择电路实现输入级总跨导的恒定。电路采用Hspice仿真,工作电压1.8V。输入级在强反型层工作时,电路的总跨导偏差在5%之内;弱反型层工作时,总跨导偏差在8%之内。
- 陈斯恽廷华
- 关键词：RAIL-TO-RAIL恒定跨导
- 一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器被引量：7
- 2006年
- 采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器．该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成．基于0．25μm CMOS工艺的测试结果表明，放大器实现了8～48dB的增益连续变化，差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc，最大增益处噪声系数为8．7dB，50Ω负载下三阶输出截点为14．2dBm．
- 恽廷华唐守龙时龙兴
- 关键词：可变增益放大器DB线性电流调节
- CMOS电压模式伪指数功能电路
- 2007年
- 根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.
- 陈斯恽廷华王文静
- 关键词：指数函数电压模式CMOS工艺
