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曹远志

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导热性
  • 2篇电导
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇电子学
  • 2篇碳布
  • 2篇冷阴极
  • 1篇疏水
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法合成
  • 1篇探测器
  • 1篇热法
  • 1篇热法合成
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇曹远志
  • 2篇张翔晖
  • 2篇孙婉妹
  • 2篇肖旭
  • 2篇周军

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种柔性冷阴极材料的制备方法
本发明提供一种柔性冷阴极的制备方法，通过在碳布上热蒸发生长氧化钨纳米线，制备得到同时具有良好柔性的高电导和导热性的场发射阴极材料，其可以承受较高的电流密度，在柔性场发射平板显示器和柔性微纳电子学等领域中有广泛的运用前景。
周军张翔晖曹远志肖旭孙婉妹
一种柔性冷阴极材料的制备方法
本发明提供一种柔性冷阴极的制备方法，通过在碳布上热蒸发生长氧化钨纳米线，制备得到同时具有良好柔性的高电导和导热性的场发射阴极材料，其可以承受较高的电流密度，在柔性场发射平板显示器和柔性微纳电子学等领域中有广泛的运用前景。
周军张翔晖曹远志肖旭孙婉妹
文献传递
氧化锌纳米线阵列水热法合成及其光电探测和超疏水性能研究
氧化锌（ZnO）一维纳米材料一方面具备了氧化锌作为直接带隙宽禁带半导体材料的特性：大的禁带宽度（3.37 eV）、高激子束缚能（60 meV）、高电子迁移率、高击穿电压和电子饱和速度、化学性能稳定、抗辐射能力强;另一方面...
曹远志
关键词：纳米线阵列水热法合成光电探测器超疏水材料
文献传递
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