李倩倩
- 作品数：9 被引量：16H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>
- 稀土元素Gd掺杂GaN的电子结构和磁学性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)结合投影缀加平面波(PAW)的方法,通过VASP软件包计算研究了稀土元素Gd掺杂GaN的晶格参数、形成能、电子态密度、能带结构和磁学性质.计算过程中将稀土元素Gd的4f电子计入价电子,采用LSDA+U方法处理4f电子的强关联效应.计算结果表明:Gd原子之间的耦合是反铁磁性的,当有足够的空穴载流子存在时能够稳定铁磁相;Ga空位虽然能够提供空穴稳定铁磁相,但是由于在p型GaN中Ga空位的形成能较高而难以形成;而间隙N缺陷和间隙O缺陷的形成能较低,能够稳定GaN∶Gd体系的铁磁相并且能够分别引入1μB和2μB的磁矩,因此认为间隙N和O可能是巨大磁矩的来源.
- 王美娜李倩倩李英
- 关键词：稀土掺杂密度泛函理论GAN电子结构
- 一种新型气膜冷却开槽结构
- 本发明涉及一种新型气膜冷却开槽结构，包括气膜孔、横向开槽和壁面，气膜孔设在壁面的上游区域，横向开槽开设在气膜孔的出口处，其特征在于该结构在横向开槽的下游槽壁上的中间位置开设有顺流阶梯，在顺流阶梯的两侧对称布置导流面，所述...
- 王进翟郑佳崔沛李倩倩闵春华朱恒宣
- 基于FPGA图像加密技术的研究与设计
- 随着互联网技术的飞速发展和人民生活水平的不断提高，网上银行，网上购物等虚拟交易在人们生活中的作用越来越重要，信息安全方面的问题也就随之而来，人们对信息安全技术的需求也就不断地提高。图像加密是一种重要的信息安全技术，它可以...
- 李倩倩
- 关键词：图像加密现场可编程门阵列MATLAB仿真模块化设计
- 稀土掺杂GaN的第一性原理研究
- 宽禁带半导体以其优异的化学和物理性质成为当前研究的热点，GaN拥有优良的光电性质以及宽的直接带隙，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。由于稀土独特的光学和磁学性能，稀土掺杂GaN的光学性质和磁学性质的研究引起了...
- 李倩倩
- 关键词：GAN密度泛函理论稀土掺杂电子结构光学性质
- 文献传递
- 一种提高气膜冷却效率的结构
- 本实用新型涉及一种提高气膜冷却效率的结构，包括气膜孔、横向开槽和壁面，气膜孔设在壁面的上游区域，横向开槽开设在气膜孔的出口处，其特征在于该结构在横向开槽的下游槽壁上的中间位置开设有顺流阶梯，在顺流阶梯的两侧对称布置导流面...
- 王进崔沛李倩倩翟郑佳闵春华朱恒宣
- 文献传递
- 上游结构对气膜冷却效率的影响研究
- 燃气轮机是我国科技、军事、工业发展重要动力机械设备，提高入口温度是提高燃气轮机效率的重要方法，由于耐高温材料发展的限制，现代燃气轮机发动机在1800-2000K高温下运行，因此，有效的冷却技术成为工业发展的迫切需要。气膜...
- 李倩倩
- 关键词：燃气轮机气膜冷却吹风比数值模拟
- 文献传递
- 一种低压系统中性线断线检测和断线定位装置
- 本实用新型涉及一种低压系统中性线断线检测和断线定位装置，其技术特点是：该装置包括直流电压源、多个断线点定位单元和判据信息采样电阻，第一个断线点定位单元紧挨用户负载，该断线点定位单元与直流电压源、判据信息采样电阻串联并跨接...
- 李玲玲曹丽鹏邢磊吉海涛孙超李倩倩
- 文献传递
- 一种新型气膜冷却开槽结构
- 本发明涉及一种新型气膜冷却开槽结构，包括气膜孔、横向开槽和壁面，气膜孔设在壁面的上游区域，横向开槽开设在气膜孔的出口处，其特征在于该结构在横向开槽的下游槽壁上的中间位置开设有顺流阶梯，在顺流阶梯的两侧对称布置导流面，所述...
- 王进翟郑佳崔沛李倩倩闵春华朱恒宣
- 文献传递
- 稀土元素(Ce,Pr)掺杂GaN的电子结构和光学性质的理论研究被引量：13
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素Ce,Pr掺杂GaN的晶格参数、能带、电子态密度和光学性质,使用LSDA+U的方法处理具有强关联作用的稀土4f态,并分析比较计算结果.计算表明:掺入Ce和Pr后的体系相比未掺杂的GaN晶格常数增大,带隙变窄,并分别在禁带中和价带顶附近引入了局域的杂质能级,该能级主要由Ce和Pr的4f电子提供;掺杂后都发生了磁有序化并产生磁矩;最后定性分析了掺杂前后介电函数和光吸收系数的变化,掺Ce的体系在介电函数和吸收系数的低能区出现了峰值,该峰的出现和禁带中的杂质能级到导带底的跃迁有关,而掺Pr的体系由于带隙变窄使介电峰和吸收边发生红移.
- 李倩倩郝秋艳李英刘国栋
- 关键词：GAN稀土掺杂电子结构光学性质
