李梦轲
- 作品数：85 被引量：205H指数：8
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信文化科学更多>>
- 用模板法制备取向Si纳米线阵列被引量：26
- 2001年
- 用化学气相沉积（ＣＶＤ）技术，在阳极氧化铝模板的有序微孔内，制备了高度取向的多晶Ｓｉ纳米线阵列．用原子力显微镜（ＡＦＭ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）分别观察了模板及Ｓｉ纳米线阵列的表面、断面形貌及单根Ｓｉ纳米线的显微结构，用Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）分析了Ｓｉ纳米线阵列的晶体结构．此方法制备出的Ｓｉ纳米线阵列生长方向高度有序，直径和长度易于控制，较少发生周期性不稳定生长而产生的弯曲和缠绕现象，相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强。
- 李梦轲王成伟力虎林
- 关键词：化学气相沉积阳极氧化铝模板模板法
- 碳纳米管、硅纳米线的制备及电子学特性研究
- 碳纳米管、硅纳米线和其复合阵列材料的研究和探索是当前纳米科技的研究热点.该文采用多种工艺制备了碳纳米管、硅纳米线和纳米管、线阵列及复合材料,对制备的样品进行了材料结构、电学、光学、量子尺寸限制效应有关的特性研究.对不同工...
- 李梦轲
- 关键词：碳纳米管硅纳米线阳极氧化铝模板模板法电子学特性
- 文献传递
- 探索研究性实验教学 提高学生创新能力
- 研究性实验教学就是以研究为指向或以研究为核心的实验教学,其主要特点是研究、探究。在注重分析论证、制定方案、设计并实验、分析总结等方面的综合能力的基础上,提高学生创新能力和解决问题的能力。研究性实验明确指出,把研究、探究和...
- 金红李梦轲
- 关键词：实验教学教学改革
- 文献传递
- 外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga_2O_3纳米线及其特性研究被引量：6
- 2018年
- 利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga_2O_3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga_2O_3纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.
- 冯秋菊李芳李彤彤李昀铮石博李梦轲梁红伟
- 关键词：外电场化学气相沉积纳米线
- 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置
- 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法：取纯度大于99.9%的锌源，称重后将锌源放入石英舟内，在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片，外加电压为5-50V，将清洗干净的衬底放置到下金属片上，向石英舟...
- 冯秋菊唐凯徐坤梅艺赢李梦轲
- 文献传递
- Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>半导体薄膜光电器件的制备及特性研究
- 2022年
- 本文利用双靶射频磁控溅射技术,在不同实验条件下,开展了本征β-Ga2O3和Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的制备及特性研究工作。分析了掺杂前后制备的二维β-Ga2O3薄膜的微结构、表面形貌及化学成份。比较了不同条件下制备器件的电导率、IV特性及光电特性。研究发现,Cu、Sn掺杂后,β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的电导率、IV特性和光电特性都有一定的改善,而Sn掺杂的Sn/β-Ga2O3薄膜的电导率增加幅度最大。其中,Sn/β-Ga2O3器件呈现了最佳IV特性,说明Sn掺杂比Cu掺杂的效果更好。同时,掺杂并进行退火处理更可使薄膜的电导率呈现数量级的提升。制备的不同二维沟道型器件都具有明显的场效应器件特征,可用外加底栅电压VGS调控器件的源漏电流IGS。在254 nm的紫外光源辐照下,所有器件都出现了明显的光电流。但掺杂后器件的光电流明显高于本征器件的光电流,Sn掺杂Sn/β-Ga2O3器件的光电流最大,响应时间最短,光电流与暗电流之比可达112,器件具有更好的稳定性和可逆性。
- 刘畅刘俊刘源胡馨月李旺柳婕李梦轲
- 关键词：光电特性
- ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究被引量：9
- 2008年
- 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
- 张威李梦轲魏强曹璐杨志乔双双
- 关键词：ZNO纳米线场效应管I-V特性
- 丙烯酸酯/碳纳米管复合材料的制备及导电特性研究被引量：15
- 2003年
- 利用载体化学气相沉积技术制备的碳纳米管,制备了丙烯酸酯/碳纳米管复合材料,研究了它的导电特性,给出了不同温度对复合材料导电特性的影响规律。
- 王起才李梦轲黄良甫
- 关键词：导电特性温度
- 取向ZnO/Cu<sub>2</sub>O纳米异质结阵列的制备及光电特性研究
- 2019年
- 采用电化学沉积法制备了取向ZnO/Cu2O异质结阵列。通过FESEM、XRD、XPS、PL、IV特性测试等手段对形成的纳米异质结的形貌、晶体结构、化学成份、光致发光、IV特性和光电转换特性等进行了分析讨论。结果表明,沉积时间及沉积电压是影响制备高质量ZnO/Cu2O核壳异质结阵列的关键因素。异质结的Cu2O包覆层厚度约为15~25 nm,主要由单晶纳米晶粒构成,晶粒细致。测试发现,相对于纯ZnO纳米线阵列,ZnO/Cu2O异质结阵列的紫光发光峰强度有所减弱,绿光峰强度有所增强,且绿光峰的中心峰位还出现了20~30 nm的红移现象。同时,ZnO/Cu2O异质结阵列还表现出了较好的光电响应特性。
- 赵佳佳周施彤吕东徽郭佳盈刘丹妮李梦轲
- 关键词：ZNO纳米半导体异质结
- 采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的方法
- 本发明公开一种采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线的方法，按如下步骤进行：在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为1~50nm的金属催化剂；将镓源和锌源按质量比充分混...
- 冯秋菊刘佳媛杨毓琪梅艺赢潘德柱李梦轲
- 文献传递
