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李辉遒

作品数:13 被引量:51H指数:4
供职机构:中山大学更多>>
发文基金:广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇椭偏光谱
  • 8篇光谱
  • 6篇光学
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇晶体
  • 3篇钾钠铌酸锶钡
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 2篇折变
  • 2篇双掺
  • 2篇晶体光学
  • 2篇光学常数
  • 2篇光折变
  • 2篇KNSBN
  • 2篇掺杂
  • 2篇V
  • 1篇圆偏振
  • 1篇圆偏振光
  • 1篇射线衍射

机构

  • 13篇中山大学
  • 2篇广东工业大学
  • 1篇加利福尼亚大...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇香港中文大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 13篇李辉遒
  • 12篇莫党
  • 10篇张曰理
  • 7篇阳生红
  • 2篇唐新桂
  • 1篇唐振方
  • 1篇罗维根
  • 1篇刘毅
  • 1篇许煜寰
  • 1篇陈第虎
  • 1篇蒲兴华
  • 1篇李秋俊
  • 1篇丁爱丽
  • 1篇余招贤
  • 1篇陈篮
  • 1篇文锦辉
  • 1篇田虎永
  • 1篇黄世平

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇中山大学研究...
  • 1篇’99十一省...

年份

  • 2篇2001
  • 9篇2000
  • 2篇1999
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双掺钾钠铌酸锶钡晶体光学特性研究
2001年
成功地生长、制备出了双掺 (Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体样品 .测量了双掺 (Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段的二波耦合特性及其光诱导吸收变化 .实验结果显示 ,双掺 (Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段具有好的光折变性能 ,其红光波段的二波耦合增益可达 10 cm- 1 ;且存在着较强的光诱导吸收现象 ,其光诱导吸收变化明显地依赖于泵浦束光强和探测束光偏振 ,探测束偏振方向平行晶体 c轴时的光诱导吸收系数和探测束偏振方向垂直于晶体 c轴时的光诱导吸收系数分别达 0 .5 3cm- 1 和 0 .2 6 cm- 1 。
张曰理阳生红李辉遒莫党
关键词:钾钠铌酸锶钡二波耦合
新型铁电薄膜的椭偏光谱研究
李辉遒
关键词:薄膜物理铁电材料铁电薄膜椭圆偏振光谱
PLZT非晶薄膜光学性质研究被引量:7
2000年
用溶胶 -凝胶技术制备了化学组分为 5 /5 0 /5 0的 PL ZT非晶薄膜 .测试其在 2 0 0~ 80 0 nm波长范围的光学透射谱 ,和 2 0 0~ 6 70 nm波长范围的椭偏光谱 .得到了 PL ZT(5 /5 0 /5 0 )非晶薄膜膜厚和光学常数谱 (折射率 n谱和消光系数 k谱 ) ,并与组分为 9/6 5 /35的 PL ZT非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较 .
李辉遒张曰理文锦辉阳生红莫党许煜寰J.D.Mackenize
关键词:PLZT非晶薄膜椭偏光谱光学常数
KNSBN:V晶体材料制备及光诱导吸收研究
2000年
成功地生长、制备出了一系列合不同掺钒浓度的钾钠铌酸锶钡(KNSBN:V)晶体样品。测量了在不同光强、光偏振和掺钒浓度下 KNSBN晶体的光诱导吸收变化。实验结果显示,KNSBN:V晶体存在较强的光诱导吸收,且其光诱导吸收变化明显依赖于泵浦束光强,探测束光偏振和晶体的掺钒量,对于探测束光偏振平行和垂直于c轴的情况,其值分别可达0.55和 0. 22cm-1。对实验结果进行了解释。
张曰理李辉遒阳生红莫党
关键词:光折变材料钾钠铌酸锶钡
C^+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱被引量:2
2000年
用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较完整的单晶 Si,埋层β- Si C分成三层微结构 ,表层 Si与β- Si C埋层界面和β- Si C埋层与体硅界面亦不相同 .这些结果与 X射线光电子谱 ( XPS)和横截面透射电子显微镜 ( TEM)
阳生红李辉遒莫党陈第虎黄世平
关键词:碳化硅椭偏光谱离子注入
KNSBN:(Cu,Ce)晶体光学特性研究
<正>一、引言光折变晶体材料在光学信息处理,光计算和光学相位共轭技术等方面具有潜在的应用研究前景,引起了人们广泛重视和研究。钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体是一种重要的光折变晶体材料。它具有电光和非线性系数大,性能稳定,无...
张曰理李辉遒谢详寿莫党
文献传递
(Pb,Ca)TiO_3铁电薄膜光学性质的研究
2000年
我们用溶胶凝胶法在Si(100)衬底上制备了(Pb,Ca)TiO_3铁电薄膜,测量了其在2.0-5.0eV能量范围的样品的椭偏光谱,并获得在该区间的光学常数谱。实验发现Pb离子被Ca离子取代后,在低能区折射率降低,在高能区折射率增加,并且折射率最大值向低能方向移动;同时随着Ca含量的增加,(Pb,Ca)TiO_3的吸收边向低能方向移动,表明Ca离子取代Pb离子后,禁带宽度E_g减小。
李辉遒唐新桂张曰理莫党
关键词:椭偏光谱光学性质铁电薄膜禁带宽度光学常数
PLZT铁电薄膜的物理特性研究被引量:4
2000年
铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶 -凝胶技术制备的PLZT铁电薄膜从热处理工艺、X射线结构分析、FT -IR红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了PLZT铁电薄膜的热处理工艺条件、结构特性、光谱特性与材料的表观裂纹、晶态与非晶态之间的关系。对红外光谱的特征吸收峰作了指认 ,得到了一系列有意义的结果。
陈篮李辉遒张曰理莫党
关键词:X射线衍射
模拟退火法在椭偏光谱数值反演中的应用被引量:19
2000年
将模拟退火 (SA)法应用于椭偏光谱数值反演 ,以达到同时得到介质薄膜的厚度和光学常数谱 ,并对 SA算法作了说明和改进 .作为应用实例 ,计算了 Si衬底上的 Si O2 薄膜和 Ba0 .9Sr0 .1 Ti O3(BST)铁电薄膜的膜厚及光学常数谱 ,同时讨论了椭偏参数ψ和Δ随膜厚及折射率变化的灵敏度 .
阳生红余招贤李辉遒张曰理莫党
关键词:模拟退火法椭偏光谱数值反演
Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的椭偏光谱研究被引量:15
2001年
用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.1~5.2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱,建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率η和消光系数κ)谱及禁带能Eg.比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率η、消光系数κ和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律.
阳生红李辉遒张曰理莫党田虎永罗维根蒲兴华丁爱丽
关键词:椭偏光谱BST薄膜陶瓷薄膜光学性质
共2页<12>
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