杜文娟
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 砷锗镉多晶合成及X射线衍射分析被引量：1
- 2010年
- 以高纯(6N)Cd、Ge、As单质,按CdGeAs2化学计量比配料,应用传统工艺合成出砷锗镉(CdGeAs2)多晶材料。采用Rietveld法,对合成的CdGeAs2多晶粉末进行了X射线衍射分析及其全谱拟合精修,发现合成材料中含有微量Cd2GeAs4杂相,讨论了Cd2GeAs4产生的原因。为了消除微量杂相,设计出高温熔体机械和温度振荡相结合的方法,并采用新方法成功地合成出高纯单相的CdGeAs2多晶材料。
- 张熠朱世富赵北君何知宇陈宝军杜文娟李佳伟黄巍
- 关键词：多晶合成X射线衍射分析
- 砷锗镉多晶X射线衍射分析
- 砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种红外非线性光学晶体材料,并具有红外透过范围宽(2.3～18μm),...
- 张熠朱世富赵北君何知宇陈宝军杜文娟
- 关键词：多晶合成X射线衍射分析
- 文献传递
- CdGeAs2晶体的光学性质研究
- CdGeAs2晶体是一种性能优异的三元Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族黄铜矿类半导体化合物。它具有非常优异的非线性光学性质,如极高的非线性光学系数(236pmV-1)、较宽的红外透过范围(2.3～18μm)以及相位匹配转换发生所必需的双折...
- 朱世富杜文娟赵北君何知宇李佳伟张顺如张熠
- 关键词：密度泛函理论光学性质
- 文献传递
- CdGeAs_2多晶合成与单晶生长研究被引量：6
- 2010年
- 对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究．以高纯（99．9999％）As、Ge、Cd为原料，按照CdGeAs，化学计量比并适当富Cd、As配料，采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多品材料，使用改进的坩埚下降法生长山Ф15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体．XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明：合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构，晶格常数为a=b=0．5946nm，c=1．1217nm；生长出的CdGeAs2单晶体结构完整，结品性好，晶体的易解理面为（101）面，红外透明范围589－4250cm^-1，拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0．67eV．
- 何知宇赵北君朱世富陈宝军李佳伟张熠杜文娟
- 关键词：多晶合成单晶生长XRD分析
- CdGeAs_2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算
- 2011年
- 基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似(LDA)方法计算了CdGeAs_2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率n_e、n_o,双折射率△n和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs_2晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好.结果对CdGeAs_2晶体质量的改进和应用具有实用价值.
- 杜文娟朱世富赵北君何知宇张熠张顺如虞游
- 关键词：密度泛函理论介电函数双折射率
