杨国渝
- 作品数：21 被引量：35H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 双层布线两层铝引线间的导通技术被引量：1
- 1992年
- 讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物造成的,因此必须(1)去除第一次铝引线上的自然氧化物;(2)提高蒸发二次铝时的真空度,防止再生氧化物形成。另外,通过热处理可改善接触;淀积二次铝时衬底加热,有利于接触的均匀完善,而且大孔比小孔接触好。
- 杨国渝
- 关键词：双层布线欧姆接触集成电路
- 一种采用微小通孔的双层布线技术
- 2001年
- 文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50
- 杨国渝伍乾永陈鹏
- 关键词：集成电路双层布线聚酰亚胺层间介质二氧化硅
- 一种单片功率集成电路的器件和工艺设计考虑
- 本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介质隔离和CMOS/LDMOS兼容工艺实现了电路功...
- 考虑谭开洲石红杨国渝冯建刘勇
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究被引量：2
- 2003年
- 采用真空键合技术 ,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构 ,经高温退火处理 ,得到一种粘合牢固的硅“三明治”体。这种“三明治”体的上下两个硅片仍可进行IC加工 。
- 杨国渝税国华张正元温志渝
- 关键词：三层结构MEMS器件IC工艺退火
- 光伏型固态继电器
- 一种光伏型固态继电器，其输入回路含发光二极管LED，其控制回路由光伏二极管阵列和与其输出端并联的电阻构成，开关回路由两只功率场效应管VDMOSFET组成。本实用新型的特点是能以较小的能量来控制较大能量，勿需附加电源，输出...
- 黄德健杨国渝
- 文献传递
- 硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响被引量：1
- 2002年
- 硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。
- 杨国渝冯建吴建
- 关键词：介质隔离
- 在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法
- 本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片，其次将所述的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅—二氧化硅—硅...
- 徐世六张正元刘玉奎杨国渝税国华
- 文献传递
- 真空微电子压力传感器的研制被引量：11
- 2004年
- 提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2,起始发射电压为0.5～1V,反向电压≥25V,当正向电压为5V时,单尖发射电流为0.2nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa。
- 温志渝温中泉徐世六刘玉奎张正元陈刚杨国渝
- 关键词：压力传感器过载保护各向异性腐蚀
- 提高单梁结构微机械谐振压力传感器激励性能的方法
- 本发明涉及一种提高单梁结构微机械谐振压力传感器激励性能的方法。该方法是将该传感器的谐振梁表面上制作的激励电阻用铂制成铂薄膜电阻。用本发明方法可提高单梁结构谐振压力传感器的谐振单梁激励的可靠性和稳定性。
- 张正元徐世六刘玉奎杨国渝税国华
- 文献传递
- 真空压力传感器的硅-硅键合技术研究
- 针对真空压力传感器的硅-硅键合特点,开展硅-硅键合技术研究,得到一种有效的真空硅-硅键合方法,该方法用于真空压力传感器的研制中,有效键合面积达到90﹪以上,为真空压力传感器的研制打下了基础.
- 张正元杨国渝温志渝徐世六张正番黄尚廉
- 关键词：压力传感器MEMS退火处理
- 文献传递
