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林振国: 作品数：12 被引量：8H指数：2; 供职机构：华南理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：4: 2014年; 本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散;当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制.制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(～13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.; 徐华兰林锋李民罗东向肖鹏林振国宁洪龙彭俊彪; 关键词：溅射功率薄膜晶体管

钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及其金属氧化物薄膜晶体管: 提供一种钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物薄膜晶体管，以钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层。钙钛矿结构的无机金属氧化物的化学表达式为MxA1‑xBO<...; 兰林锋彭俊彪王磊林振国; 文献传递

基于AMOLED显示的氧化铟锌薄膜晶体管: 以80∶20(质量比)的ZnO-In2O3 混合粉体为原料通过热压烧结制备氧化铟锌靶材(IZO),磨削、抛光、超声清洗后通过磁控溅射制备氧化铟锌薄膜晶体管(IZO TFTs),研究不同烧结温度(850 oC、900 oC...; 宋二龙兰林锋肖鹏林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：热压烧结薄膜晶体管

氧化物薄膜晶体管及新型有源层材料的研究: 在显示领域中,平板显示器（FPD）是目前最为流行的一类显示设备。平板显示领域中应用最广泛的技术就是薄膜晶体管技术（TFT）。当前主流的薄膜晶体管技术非晶硅TFT技术无法满足现在以及将来超高分辨率、超大尺寸、溶液加工等要求...; 林振国; 关键词：薄膜晶体管; 文献传递

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法: 一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括：a.在衬底上制备栅极；b.沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在栅极绝缘层上沉积不含锌的锡钽氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在有源层上沉积金属层，然后图形化作为...; 兰林锋彭俊彪王磊林振国

氧化物薄膜晶体管的稳定性的研究: 基于氧化物半导体的薄膜晶体管(Oxide TFTs)以其优异的性能被认为是在AMOLED 显示中具有很大的应用潜力一种TFT [1,2]。与传统的硅基TFT 相比,氧化物TFT 具有载流子迁移率较高、电学性能均一性好、对...; 兰林锋肖鹏林振国王磊彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管氧化物半导体 AMOLED

钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及其金属氧化物薄膜晶体管: 提供一种钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物薄膜晶体管，以钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层。钙钛矿结构的无机金属氧化物的化学表达式为MxA1-xBO<...; 兰林锋彭俊彪王磊林振国; 文献传递

热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管被引量：4: 2017年; 本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材,以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明IZO靶材结晶性好,元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化,900℃-60 min条件下In_2O_3的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移,有利于靶材致密化以及形成InZnO_x晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量,降低器件性能,可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要,最终900℃-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好,迁移率为16.25 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。; 宋二龙兰林锋林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管热压烧结靶材磁控溅射

氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管: 氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜成分为M2xIn2-2xO3-δ，其中M为ⅢB族元素，0.001≤x≤0.3，0≤...; 兰林锋彭俊彪林振国; 文献传递

氧化物薄膜晶体管的稳定性的研究: 基于氧化物半导体的薄膜晶体管(OxideTFTs)以其优异的性能被认为是在AMOLED显示中具有很大的应用潜力一种TFT[1,2]。与传统的硅基TFT相比,氧化物TFT具有载流子迁移率较高、电学性能均一性好、对可见光透明...; 兰林锋肖鹏林振国王磊彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管氧化物半导体 AMOLED; 文献传递